德州儀器DRV7308,引領(lǐng)高效電機驅(qū)動變革
2024-07-01 08:06:22 EETOP2024年6月18日,德州儀器舉辦的氮化鎵產(chǎn)品發(fā)布會上,為大家?guī)砹说轮輧x器的新器件 DRV7308 氮化鎵智能功率模塊,EETOP記者應(yīng)邀出席。TI致力于通過端到端的技術(shù)支持和專為高壓驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計的專業(yè)器件系列,助力設(shè)計人員在高壓電機應(yīng)用中實現(xiàn)高效性和高可靠性。德州儀器主攻高壓電機驅(qū)動系統(tǒng),旨在解決客戶面臨的關(guān)鍵設(shè)計難題。從高壓功率變換到高壓檢測、高壓隔離以及高壓實時控制,TI提供的模擬和嵌入式器件能夠協(xié)同工作,簡化高壓系統(tǒng)的設(shè)置,并確保在極端惡劣的操作條件下實現(xiàn)卓越的效率、準確性、隔離和控制。
德州儀器的DRV7308是一款集成了六只氮化鎵的先進智能功率模塊IPM,它憑借第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù),實現(xiàn)了前所未有的性能突破。工程師利用這款模塊可以實現(xiàn)99%以上的驅(qū)動器效率,顯著改善電機驅(qū)動系統(tǒng)的發(fā)熱問題。與現(xiàn)有的IGBT和MOSFET解決方案相比,DRV7308的功率損耗降低了50%,同時實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)較低的死區(qū)時間和傳播延遲,支持更高的脈寬調(diào)整開關(guān)頻率,從而有效減少聽覺噪音和系統(tǒng)振動。
DRV7308的突出特點主要體現(xiàn)在以下三個方面:
一、效率卓越
我們可以清晰地看到紅色部分是集成的六支氮化鎵FET。與基于IGBT和MOSFET的解決方案相比,氮化鎵FET的損耗顯著減少了50%,這一巨大的損耗降低意味著在電力轉(zhuǎn)換過程中能量的浪費更少,從而提高了整體系統(tǒng)的效率。通過優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗,TI的氮化鎵智能功率模塊實現(xiàn)了99%的逆變器效率,逆變器效率的提高意味著更多的輸入電力被有效地轉(zhuǎn)換為輸出電力,進一步減少了能源的浪費。這一數(shù)字遠勝于現(xiàn)有的IGBT和MOSFET解決方案。
二、功率密度高,尺寸緊湊
· 傳統(tǒng)的IGBT智能功率模塊需要外部散熱器來散熱,外部散熱器占用了大量的板面和空間,對于緊湊和高效的設(shè)計來說是一個不利因素。而TI的氮化鎵智能功率模塊則采用了業(yè)內(nèi)較小的封裝尺寸——12*12毫米,并且擁有更高的效率。因此,它可以在無散熱器的情況下輸出250W的功率。DRV7308不僅尺寸緊湊,還集成了電流檢測放大器和保護功能,這提供了額外的設(shè)計和運行優(yōu)勢。電流檢測放大器可用于精確監(jiān)控和控制電流,而保護功能則增強了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
三、可靠性出眾
電機和驅(qū)動器的使用壽命與其工作溫度密切相關(guān)。DRV7308的高效率和高集成度設(shè)計顯著減少了電機和驅(qū)動器的發(fā)熱,從而提高了系統(tǒng)的整體可靠性并延長了使用壽命。此外,每個氮化鎵FET的短路保護功能以及電機驅(qū)動器的二級電流保護功能也進一步增強了系統(tǒng)的可靠性。
值得一提的是,得益于第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù),DRV7308在提高系統(tǒng)功率密度的同時實現(xiàn)了出色的效率,并且無需外部散熱體。這一優(yōu)勢在實際應(yīng)用中尤為重要。例如,在暖風空調(diào)系統(tǒng)中,新的SEER評級要求系統(tǒng)效率達到85%,而以前的標準僅為80%。現(xiàn)在,通過DRV7308的99%高效率,可以輕松實現(xiàn)系統(tǒng)85%的整體效率要求,而無需增加電機的成本。或者,在保持效率不變的情況下,可以使用成本更低的電機,這在電機成本占比較高的應(yīng)用中具有顯著的經(jīng)濟優(yōu)勢。
下面示例直觀地展示了TI的氮化鎵智能功率模塊和傳統(tǒng)的IGBT智能功率模塊之間的效率比較。在250W的系統(tǒng)效率測試中,使用氮化鎵智能功率模塊的電機逆變器效率在不同負載下提高了1.9%-2.6%。而IGBT電路板則需要額外的散熱器來輔助散熱才能達到其最高工作效率97.2%。相比之下,TI的氮化鎵IPM不僅實現(xiàn)了更高的效率,還無需額外的散熱器。
TI GaN IPM 與 IGBT 效率性能比較
另一張圖(PPT P9)則展示了氮化鎵智能功率模塊在縮小電路板尺寸方面的顯著優(yōu)勢。由于氮化鎵智能功率模塊具有較高的功率密度、高效性以及集成了眾多外部器件的特點,其電路板的尺寸比傳統(tǒng)的IGBT和MOSFET智能功率模塊的電路板縮小了55%。
與 250W IGBT 解決方案相比,DRV7308 可減小 PCB 面積
DRV7308已經(jīng)開始小批量生產(chǎn),并提供評估模塊供客戶測試。需要開始設(shè)計的客戶可以通過TI.com購買評估模塊,并查看德州儀器所提供的有關(guān)氮化鎵技術(shù)的文章和參考設(shè)計。
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