大聯大世平集團推出基于onsemi產品的電動汽車（EV）充電樁方案
2023-08-01 17:01:47 eetop2023年8月1日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NTBG022N120M3S和NCD57084產品的電動汽車（EV）充電樁方案。
圖示2-大聯大世平基于onsemi產品的電動汽車（EV）充電樁方案的場景應用圖
NTBG022N120M3S是onsemi旗下1200V SiC MOSFET，其針對快速開關應用進行優化，Rds_on（Max）為30mohm@18V（Vgs），柵極電荷Qg(tot)為151nC、容抗Coss為146 pF，該器件適合應用在高電壓、大電流及高速切換的操作條件，Vgs（閘源極）最大電壓范圍為-10V-至+22V，憑借這些特性，使得該產品能夠在開關操作中具有低功耗、高效率和高溫穩定性。
NCD57084是一款高電流單通道IGBT柵極驅動器，具有2.5kVrms內部電流隔離，專為高功率應用而設計，具有高系統效率和可靠性。該驅動器采用SOIC-8封裝，具有軟關斷和故障報告檢測功能。此外，該產品還具有低輸出阻抗，可用于增強型IGBT驅動，提供3.3V至20V寬輸入偏置電壓范圍和信號電平，以及高達30V的寬輸出偏置電壓范圍，支持+7A/-7A高峰值輸出電流。不僅如此，該器件傳播延遲時間短，可以做到精準匹配，并且UVLO閾值小，能夠實現偏置靈活性。
除此之外，方案中還配備高效率輔助電源及DC-DC轉換器，可進一步提升EV充電樁的充電效率及可靠性。
在汽車電動化的熱潮下，EV充電樁也將迎來黃金發展時期，對此大聯大世平將結合自身豐富的技術經驗與onsemi共同加深方案整合能力，為電動汽車發展賦能。
核心技術優勢：
? NTBG022N120M3S（1200V，SiC MOSFET）onsemi第三代半導體碳化硅MOSFET：
? 1200V SiC MOSFET；
? Rds_on（Max）=30mohm@18V（Vgs）；
? Gate Charge Qg（tot）=151nC；
? 容抗Coss=146pF，適合應用在高電壓，大電流及高速切換等操作條件；
? Vgs（閘源極）最大電壓范圍為-10V至+22V；
? 建議Vgs sop操作電壓-3V至+18V。
? NCD57084 onsemi IGBT隔離驅動IC：
? 具有可程式設計延遲的DESAT保護；
? 負電壓（低至-9V）能力，適用于DESAT；
? 短路期間的IGBT柵極箝位；
? IGBT柵極有源下拉；
? IGBT短路期間軟關斷；
? 嚴格的UVLO準位，實現偏差Bias靈活性；
? UVLO/DESAT期間的輸出部分脈沖回避（重新啟動）；
? 3.3V、5V和15V邏輯電壓準位輸入；
? 2.5kVrms電壓；
? 高瞬態抗擾度；
? 高電磁抗擾度。
? 高效率輔助電源及DC-DC轉換器：
? 在此開發板中，一次側驅動電路是由外部電源提供，規格為12V/1A，二次側由NCV3064 IC組成高效率輔助電源，提供+12V至+18V，-3.5VDC電壓供驅動電路使用。
