ST推出55納米（nm）嵌入式閃存制造工藝
2010-04-06 16:26:41 本站原創ST發布55納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）制造工藝。意法半導體的新一代車用微控制器（MCU）芯片將采用這項先進技術。目前，意法半導 體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進行這項技術的升級換代工作。
55nm嵌入式閃存技術基于意法半導體20年來的嵌入式閃存研制技術，是意法半導體成功的90nm嵌入式閃存車用微控制器系列的延續。汽車市場的需 求推動技術要求超過了目前90nm芯片能夠提供的性能。下一代汽車系統越來越需要計算性能、能效和存儲容量更高的微控制器，以滿足市場對汽車應用的需求， 如功能性安全系統、更嚴格的排放標準或ADAS（先進駕駛輔助系統）解決方案。新技術將讓意法半導體能夠為客戶提供更高的產品性能和附加值，同時為意法半 導體未來的基于Power Architecture™架構的車用32位微控制器提供技術平臺。
意法半導體嵌入式閃存技術是在在公司的Crolles工廠開發，同時也將在這里投入生產。意法半導體的Crolles廠是獲得汽車行業認證的晶圓制 造廠，是世界領先的55nm嵌入式閃存制造基地。研發制造同地意味著意法半導體能夠為客戶提供出色的制程穩定性和卓越的產品質量以及長期供貨保證。在 Crolles，意法半導體采用55nm技術生產車用產品，并已經制造出好幾個全功能的嵌入式閃存測試載具，采用關鍵汽車系統IP。
意法半導體的首批采用55nm嵌入式閃存制程的微控制器計劃以汽車為目標應用，包括發動機管理、變速器管理、車身控制和安全/ADAS系統。預計 2011年中期客戶可獲得首批55nm嵌入式閃存產品的樣片，2013年接受汽車行業的產品認證測試。
公司網址：www.stmicroelectronics.com.cn
