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ROHM旗下的LAPIS Semiconductor公司開發出128Mbit NOR Flash存儲器“MR29V12852B”

2016-04-13 21:45:17 未知

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ROHM集團旗下的LAPIS Semiconductor公司（藍碧石半導體）開發出128Mbit NOR Flash存儲器“MR29V12852B”，該產品非常適用于對品質有高要求的車載設備和工業設備的數據存儲介質。

Flash存儲器根據存儲數據的存儲單元的排列形式不同而分為NAND型和NOR型兩種。NAND型的特征是每比特的價格相對便宜，多用作手機、數碼相機、數碼音響等保存數字數據的存儲介質；NOR型的特征是存儲數據的可靠性高，多用作品質要求高的車載設備、工業設備等保存固件的存儲介質。

包括Flash存儲器在內的非易失性存儲器，毋庸置疑會有偶發數據錯誤的可能性。尤其在品質要求高的車載設備和工業設備中，為了系統的穩定工作，必須采取有效預防這種數據錯誤引發的程序誤運行或誤停止的措施。

本LSI作為128Mb NOR Flash存儲器，業界首次內置糾錯碼電路和輸出驅動能力調整電路，通過替換現有存儲器，可輕松且以低成本實現系統上的數據錯誤對策。該產品非常適用于品質要求高的車載設備和工業設備，有助于系統的穩定工作和降低成本。

現在，樣品已開始出售，電路設計、測試程序設計、評估等Flash存儲器開發在藍碧石半導體（新橫濱技術中心）實施，生產將委托海外合作伙伴Fab實施，預計于2016年11月開始投入量產并批量銷售。

今后，藍碧石半導體還會繼續完善NOR Flash存儲器的產品陣容，滿足品質要求高的客戶需求。

＜背景＞

Flash存儲器的數據錯誤原因中，包括引起存儲器讀取數據錯誤（誤碼）、信號延遲及波形失真的數據交換時產生的電磁噪聲（輻射干擾）等。Flash存儲器的數據錯誤會引起Flash存儲器與其控制器間的數據通信錯誤，從而影響系統的可靠性。要想打造可靠性高的系統，需要在PCB板設計、零部件配置及其評估過程中考慮減少誤碼的誤碼糾正功能及對外圍電路的噪音干擾對策。藍碧石半導體開發出的NOR Flash存儲器，內置有糾錯碼電路與作為PCB板上輻射干擾對策的驅動能力調整電路，而且與其他公司產品具有兼容性，無需改變當前系統的結構，僅需替換現有存儲器即可輕松實現系統的穩定工作。

新產品詳情＞

１．僅需替換現有產品，即可輕松增加誤碼糾正功能

一直以來，系統要具備誤碼糾正功能，需要在現有存儲器產品的基礎上增加糾錯碼電路和糾錯碼用的奇偶校驗位存儲器。本LSI通過內置糾錯碼電路和糾錯碼用奇偶校驗位Flash存儲器作為誤碼對策，客戶無需新增所需元器件即可增加誤碼糾正功能。另外，還與一般的NOR Flash存儲器產品具有兼容性。因此，替換為本LSI非常容易，無需在當前系統增加零部件即可建立具有誤碼糾正功能的系統。

使用本LSI，效果因系統的規模、所采用的糾錯碼電路結構而異，但僅在當前系統上將現有產品替換為本LSI，預計按單純的零部件增加成本比較，即可節約5%(*)左右的成本。

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2．內置輸出驅動能力調整功能，減少輻射干擾

本LSI為了減少NOR Flash工作時產生的PCB板上輻射干擾，并改善阻抗匹配的讀取數據輸出波形的特性，搭載了用來改變數據輸出時的電流驅動能力的輸出驅動能力調整電路。不僅可根據客戶系統結構優化電流驅動能力，還可減少輻射干擾對策用配件、阻尼電阻配件及安裝成本。另外，輸出驅動能力調整電路在產品出貨時即以固定規格提供給客戶，因此客戶僅需使用現有的Flash控制器即可調整輸出驅動能力。

(*)：藍碧石半導體調查數據

【規格概要】

項目	規格
存儲器組成	8,388,608×16bit, 16,777,216×8bit
數據總線組成	字(16bit)、字節(8bit)切換
扇區組成	128K字節單一
電源電壓	2.7-3.6V
工作溫度范圍	-40℃～+85℃
存儲器訪問	70nS (隨機訪問)、 25nS( 頁面訪問)
消耗電流 (Typ)	讀取時20mA (at 5MHz)，待機時 30uA
保護	WP#控制、軟件控制
封裝	56TSOP Type I