MACOM推出第四代100W硅基GaN寬帶晶體管
2015-09-14 21:11:45 未知M / A-COM技術解決方案公司（“MACOM”）（納斯達克股票代碼：MTSI），高性能模擬射頻，微波和光學半導體產品的領先供應商，今天宣布了新MAGX-100027-100C0P，優化的寬帶晶體管為DC-2.7 GHz的操作與使用內置（硅上氮化鎵）的硅專有的第四代氮化鎵工藝開始提供樣片。這氮化鎵HEMT硅D-模式晶體管非常適合于國防通信，陸地移動無線電，航空電子設備，無線基礎設施，ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。
所述MAGX-100027-100C0P支持的CW，脈沖的，和具有輸出功率高達100瓦（50 dBm的）線性操作。擁有50 V工作電壓，該器件提供18.3 dB增益連續工作在2.45GHz的，而70％的漏極效率。對于脈沖操作，MAGX-100027-100C0P擁有18.4分貝增益在2.7 GHz和71％的漏極效率。這100％的RF測試的晶體管是在一個行業標準塑料封裝，狼吞虎咽地吃了法蘭。
提供性能，在低于現任LDMOS技術的預計量產成本結構對手昂貴的氮化鎵上硅碳化物（氮化鎵在SiC），第四代氮化鎵（GEN4 GaN）的定位打破了最后的技術和商業壁壘主流氮化鎵通過。 GEN4氮化鎵提供大于70％的峰值效率和19 dB的增益調制的信號在2.7千兆赫，它類似于GaN的對SiC的技術，和比LDMOS更大多于10個百分點的效率。它還提供了功率密度大于四倍LDMOS的。
“這GEN4氮化鎵晶體管可為客戶提供最佳的性能，”加里·洛佩斯，產品經理，MACOM說。 “該MAGX-100027-100C0P是客戶支持苛刻的應用和經驗，由MACOM氮化鎵的解決方案提供了堅實可靠的理想人選。 GEN4氮化鎵產品中擴大早些時候在Si代氮化鎵，它已經證明，在惡劣的環境條件下的清晰，經過現場驗證的可靠性超過五年的創新和商業化的軌跡。＂
