富士通半導(dǎo)體推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品MB85RS1MT
2015-07-08 20:47:43 未知富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
MB85RS1MT為智能可穿戴設(shè)備提供了理想的內(nèi)存器件的選擇，除了可讓終端應(yīng)用產(chǎn)品的整體體積變小之外，更可讓整個(gè)系統(tǒng)在寫入數(shù)據(jù)時(shí)將功耗降至最低，以延長(zhǎng)系統(tǒng)工作時(shí)間。
智能可穿戴設(shè)備是當(dāng)下的市場(chǎng)熱點(diǎn)，并以驚人的速度快速滲透和發(fā)展。智能可穿戴設(shè)備應(yīng)用涵蓋范圍廣闊且種類繁多，包括智能眼鏡、頭戴式顯示器、隱蔽式助聽器和智能脈搏計(jì)等，以及可記錄卡路里消耗量和運(yùn)算數(shù)據(jù)的活動(dòng)記錄器如智能手環(huán)等。而在這些眾多智能可穿戴設(shè)備當(dāng)中，持續(xù)的實(shí)時(shí)記錄數(shù)據(jù)亦是必備的。
圖一：SOP封裝及WL-CSP外觀
與一般的非揮發(fā)性內(nèi)存如EEPROM和閃存（Flash）等相比，富士通FRAM可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期，它的寫入速度為前者的1000倍以上，而功耗僅為其1/1000-1/100000，F(xiàn)RAM的使用壽命更是超過EEPROM和Flash10000倍以上，是實(shí)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的理想選擇。
圖二：SOP封裝及WL-CSP封裝體積比較
為了在更廣泛的應(yīng)用中進(jìn)一步擴(kuò)大FRAM快速讀寫、高可靠性和低功耗的特點(diǎn)，富士通半導(dǎo)體在為1MB FRAM器件采用SOP封裝之后，更推出了其全新WL-CSP封裝版本（見圖一）。在采用WL-CSP封裝后，MB85RS1MT的體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，比SOP封裝體積小了95%（見圖二）---其面積比SOP封裝小了77%（見圖三），其厚度僅相當(dāng)于信用卡厚度的一半（見圖四）。
圖三：SOP封裝及WL-CSP封裝面積比較
圖四：SOP封裝及WL-CSP封裝厚度比較
低功耗作業(yè)是FRAM眾多優(yōu)點(diǎn)之一。相較于一般使用的EEPROM非揮發(fā)性內(nèi)存，F(xiàn)RAM寫入數(shù)據(jù)的速度也比較快，因此可在寫入數(shù)據(jù)時(shí)大幅降低功耗（如圖五）。基于此原因，為了實(shí)時(shí)記錄而需經(jīng)常性寫入數(shù)據(jù)的穿戴式裝置在采用此FRAM后，可擁有更佳電池續(xù)航力和更小體積的優(yōu)勢(shì)。
圖五：寫入時(shí)功耗量比較
富士通半導(dǎo)體自1999年開始量產(chǎn)FRAM產(chǎn)品以來，已將上述產(chǎn)品特性廣泛應(yīng)用在工廠自動(dòng)化設(shè)備、測(cè)試儀器、金融終端機(jī)及醫(yī)療裝置等領(lǐng)域。此次采用WL-CSP封裝的MB85RS1MT器件的推出，則將其應(yīng)用領(lǐng)域延展到智能可穿戴設(shè)備應(yīng)用當(dāng)中，為客戶提供更小、更薄和功能更豐富的產(chǎn)品，并大幅延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間。
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