Energy Micro的Cortex-M4 MCU性能受益于臺(tái)積電低漏電流技術(shù)
2013-05-26 13:22:56 本站原創(chuàng)Energy Micro宣布其一直與臺(tái)積電緊密合作來驗(yàn)證臺(tái)積電的eLL(超低漏電流工藝)技術(shù)給其新一代的低功耗Cortex-M 微控制器帶來的好處。和臺(tái)積電的密切配合，使Energy Micro可以很早接觸這一最新的工業(yè)技術(shù)，從而進(jìn)一步增強(qiáng)其MCU產(chǎn)品性能。
臺(tái)積電的eLL超低漏電流工藝是其嵌入式閃存(EmbFlash)技術(shù)最新的改良版，相比之前的解決方案，該工藝帶來更低的功耗-待機(jī)電流降低50-70%，運(yùn)行電流降低30%。
Energy Micro的全球銷售副總裁Andreas Koller說：“EFM32 MCU產(chǎn)品的低功耗性能使其從競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品中脫穎而出。過渡到帶浮點(diǎn)單元的ARM Cortex-M4 這一32位的DSP CPU 內(nèi)核是很自然的舉動(dòng)，同時(shí)我們的低功耗Gecko技術(shù)也受益于臺(tái)積電有著最好低功耗性能的最新工藝。”
臺(tái)積電歐洲總裁Maria Marced說：“Energy Micro的低功耗MCU產(chǎn)品有著出色的低功耗特性和產(chǎn)品性能。Gecko技術(shù)與臺(tái)積電的超低漏電流嵌入式閃存處理工藝的結(jié)合，使得Energy Micro的產(chǎn)品的功耗顯著降低，從而進(jìn)一步增強(qiáng)Energy Micro的競(jìng)爭(zhēng)地位。”
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊
相關(guān)文章
