穩(wěn)壓管
2010-08-17 08:55:02 本站原創(chuàng)現(xiàn)在常用的穩(wěn)壓管的主要材料是半導(dǎo)體硅。
在硅穩(wěn)壓管的反向電壓擊穿區(qū)內(nèi)，電流變化很大，而其電壓基本不變。
在小于5V的穩(wěn)壓管，主要是齊納擊穿，大于7V的穩(wěn)壓管，主要是雪崩擊穿，在5—7V間，兩種擊穿同時(shí)存在。
要理解穩(wěn)壓二極管的工作原理，只要了解二極管的反向特性就行了。所有的晶體二極管,其基本特性是單向?qū)?。就是說(shuō)，正向加壓導(dǎo)通，反向加壓不通。這里有個(gè)條件就是反向加壓不超過(guò)管子的反向耐壓值。那么超過(guò)耐壓值后是什么結(jié)果呢？一個(gè)簡(jiǎn)單的答案就是管子燒毀。但這不是全部答案。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，只要限制反向電流值（例如，在管子與電源之間串聯(lián)一個(gè)電阻），管子雖然被擊穿卻不會(huì)燒毀。而且還發(fā)現(xiàn)，管子反向擊穿后，電流從大往小變，電壓只有很微小的下降，一直降到某個(gè)電流值后電壓才隨電流的下降急劇下降。正是利用了這個(gè)特性人們才造出了穩(wěn)壓二極管。使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設(shè)計(jì)好它的電流值。
FTZ5.6ET148
MTZJT-7715B
RLZTE-1120A
RLZTE-1122B
RLZTE-1127B
RLZTE-114.3B
RSB6.8STE61
UDZSTE-172.4B
UDZSTE-1730B
UDZSTE-175.1B
UDZSTE-175.6B
UDZSTE-176.2B
UDZSTE-176.2B
UMZ1NTR
UMZ6.8ENTR
UMZ8.2NT106
RLZTE-1122B
制造商: ROHM Semiconductor
齊納電壓: 21.175 V
電壓容差: 3 %
功率耗散: 500 mW
封裝 / 箱體: LLDS
最大反向漏泄電流: 0.2 uA
最大齊納阻抗: 30 Ohms
配置: Single
測(cè)試電流: 5 mA
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