ST推出自適應實時（ART）存儲器加速器
2010-03-17 15:26:27 本站原創ST推出業內首款針對工業標準的ARM® Cortex™-M3內核優化的自適應實時（ART）存儲器加速器。
意法半導體的首批采用90nm嵌入式閃存制程生產的STM32微控制器的運行速度更快，功耗更低，外設集成度更高，片上存儲密度更大。90nm嵌入 式閃存技術的性能已經在智能卡和汽車電子IC上得到實證。意法半導體已于2009年發布了內嵌90nm 閃存的微控制器的樣片。
由于ARM Cortex-M3的性能高于閃存技術，在運行頻率較高時，處理器必須等待閃存，意法半導體獨有的ART存儲器加速器可平衡這一固有的性能差距。現在，在 運行頻率達到120MHz時，CPU無需等待閃存，提高系統的總體速度和能效。
為了在這個頻率上釋放處理器的150 DMIPS的全部性能，加速器實現了指令預取隊列和分支緩存，從閃存執行程序的速度達到120MHz，零等待狀態。其它品牌的Cortex-M3微控制器 的性能只有在120MHz頻率以上才能超越，但是高頻率換來高功耗和高散熱量。
現在有了這種性能，開發人員可以在微控制器上執行更多的系統功能，無需使用更加昂貴的微控制器或伴隨DSP芯片。例如，在多媒體應用中，客戶將能夠 實現音頻編解碼、視頻處理、數據加密、數字過濾和多協議網關，剩余的資源足以處理其它任務。
最新采用90nm制程和ART存儲器加速器的多款STM32產品已通過“嵌入式微處理器測試基準協會”的CoreMark™ 測試。CoreMark測試結果證明，在時鐘速度100MHz時，STM32的執行速度比Cortex-M競爭產品快8%。性能優勢能夠保持在 120MHz。CoreMark分析報告證實，STM32的動態功耗僅為188µA/MHz （98µA/CoreMark）。這相當于在120MHz時消耗 22.5mA電流（從閃存執行代碼，ART加速器開啟，所有外設關閉）。
目前大客戶正在測試新的內置ART存儲器加速器的90nm微控制器樣片。意法半導體將在今年下半年公布產品細節。
關于STM32系列微控制器
今天發布的增強技術擴大了意法半導體的微控制器產品陣容，原本已經是業內產品線最寬的Cortex-M3 產品組合現在擴大到110款產品。所有的STM32系列產品的引腳和軟件都相互兼容，共用一個外設固件庫，這有助于提高設計伸縮性和高效的開發平臺化的產 品。
現有的STM32產品線包括STM32高性價比系列、STM32基本型系列和 STM32增強型系列。新增的升級系列包括增加更多接口的STM32基本型USB系列和支持USB OTG、以太網和雙CAN接口的STM32互聯型系列。片上閃存密度從16KB到1MB，SRAM密度從4KB到96KB，封裝從36針的QFN到 144針的LQFP封裝或BGA封裝。高性能片上外設包括通信接口、模數轉換器、計時器和電壓監控功能（看門狗和復位功能）。
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