Cree推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺
2015-09-07 20:59:35 未知SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET技術，擴大了終端系統的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創新空間，方便實現尺寸更小、速度更快、溫度更低、效率更高的電源設計方案。這也是新一代電力轉換系統與硅成本平價的解決方案。
圖 基于900V SiC MOSFET平臺的C3M0065090J
世強代理的C3M0065090J，是該平臺的主導產品，其額定工作電壓/電流分別為900V/32A；在25°C條件下，可以實現最低至65 mΩ的額定導通電阻，在更高溫度(Tj=150°C)工作時，導通電阻Rds(ON)也只有90mΩ，減少了系統的冷卻需求。另外，該產品不僅擁有業界標準的TO247-3/TO220-3封裝，還能夠提供低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝，采用了開爾文(Kelvin)連接以幫助減小柵極振蕩。C3M0065090J適合用于包括可再生能源逆變器、電動汽車充電系統、三相工業電源、高電壓直流/直流轉換器、關模式電源在內的高頻電力電子應用。
目前，世強已全面代理了Cree SiC相關產品，并且保證具有競爭力的價格，歡迎致電400-887-3266咨詢訂購。
C3M0065090J的功能與特點：
• 采用卓越的C3M SiC Mosfet平面技術，n溝道增強型場效應晶體管技術；
• 高阻斷電壓、高開關頻率、高功率密度；
• 應用快速體二極管，反向恢復時間短；
• 額定電壓/電流值為900V/32A，額定導通電阻最低至65mΩ(25°C)、90mΩ（Tj=150°C）；
• 標準TO247-3/TO220-3封裝和低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝；
• 無鹵素、通過無鉛認證；
