Vishay的新款VRPower® DrMOS尺寸更小且更高效
2014-09-09 11:02:31 本站原創(chuàng)賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 9 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用小尺寸、散熱增強(qiáng)型PowerPAK® MLP 5mm x 5mm的31pin封裝的VRPower®集成DrMOS新品---SiC620。Vishay Siliconix SiC620輸出電流超過(guò)60A，尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%，但效率更高出3%，最高可達(dá)95%。這些器件封裝的寄生參數(shù)比離散方案小，使開(kāi)關(guān)頻率可以達(dá)到1.5MHz，能有效提高功率密度，降低總體方案成本。
該器件包含的高端和低邊TrenchFET® Gen IV N溝道低導(dǎo)通阻抗的MOSFET，先進(jìn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)IC，以及自舉的肖特基勢(shì)壘二極管，全部集成在小尺寸25mm2面積內(nèi)。SiC620的驅(qū)動(dòng)IC兼容各種PWM控制器，支持5V和3.3V的三態(tài)PWM邏輯。
SiC620家族完全符合DrMOS 4.0標(biāo)準(zhǔn)，針對(duì)筆記本電腦、服務(wù)器、游戲機(jī)、圖形卡、交換機(jī)和存儲(chǔ)系統(tǒng)，以及其他采用CPU的高功率系統(tǒng)中的高功率、多相降壓穩(wěn)壓器，以及大電流的非隔離負(fù)載點(diǎn)模塊。Buck變換器在12V輸入時(shí)是最優(yōu)的，輸入電壓可以從4.5V到16V的范圍，PWM傳輸延遲小于20ns。器件具有優(yōu)異的散熱性能，工作溫度比前一代方案的溫度低50℃以上。
器件的驅(qū)動(dòng)IC集成了零電流檢測(cè)電路，可以改善輕負(fù)載條件下的效率，且自適應(yīng)式死區(qū)時(shí)間控制有助于進(jìn)一步提高所有負(fù)載點(diǎn)下的效率。保護(hù)功能包括欠壓鎖定(UVLO)、擊穿保護(hù)和過(guò)熱警告以便在結(jié)溫過(guò)高時(shí)向系統(tǒng)發(fā)出告警。
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