Vishay推出業內最小-20V P溝道Gen III MOSFET
2013-12-05 10:15:34 本站原創率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝尺寸，可用于移動計算，在4.5V下導通電阻低至8.0mΩ
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si8851EDB是為在移動計算設備中提高效率和節省空間而設計的，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下分別具有8.0mΩ和11.0mΩ的極低導通電阻。
Si8851EDB把P溝道Gen III技術與MICRO FOOT的無封裝CSP技術，以及30pin設計和引腳布局結合在一起，在給定的面積內提供了盡可能低的導通電阻。與最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度薄50%，在4.5V柵極驅動下的導通電阻幾乎只有一半，單位封裝尺寸的導通電阻低37%。Si8851EDB的導通電阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET，外形尺寸小56%，單位封裝尺寸的導通電阻低30%以上。
今天推出的器件高度只有0.4mm，適和在平板電腦、智能手機和筆記本電腦的電源管理應用中用作負載和電池開關。Si8851EDB的低導通電阻使設計者可以在其電路里實現更低的壓降，從而更有效地使用電能并延長電池使用壽命，同時其小占位可節省寶貴的PCB空間。Si8851EDB的典型ESD保護達到6kV，有助于保護手持設備避免因靜電放電而損壞，同時保證在生產過程能對零組件進行安全的加工處理。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。
Si8851EDB是Vishay的MICRO FOOT家族的最新成員，可以在http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/ 找到相關信息。有關該公司P溝道Gen III MOSFET的更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
Si8851EDB現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。
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