IPDIA的1μF硅電容1206外殼尺寸：為高達250°C高可靠性應用提供最佳解決方案
2012-02-09 21:10:19 本站原創IPDIA是領先的硅電容制造商。該公司日前宣布推出一種新的高溫硅電容，可在1206封裝尺寸里達到最高電容值。
事實上，當標準技術提供了一個100 nF的1206封裝電容溫度可達200°C時，IPDIA可以自豪地展示他們令人驚嘆的1µF的具有相同封裝尺寸電容，其溫度可高達250°C。
此外，IPDIA高溫硅電容器工作溫度范圍為-55°C至+200°C間，電容位移限制在+/-1％。其極端溫度范圍顯示了-55°C至+250°C的相同的電容位移。
由于其獨有的3D硅技術，IPDIA還可以提供厚度低至100µm的最節省空間的解決方案。
“高溫，高穩定性和尺寸減少是許多今天的電子元器件在國防，航空航天，汽車和工業領域的高可靠性應用中關鍵的設計因素。”IPDIA營銷總監洛朗·杜博斯(Laurent Dubos)說， “我們的三維硅技術給電容器業務帶來了驕人的業績。比如，在關鍵的測量和傳感器應用中，如此高的工作溫度（超過200°C）集體積小穩定性高的特點，早在設計階段就提供了高度可靠的解決方案，這將縮短設計周期，并帶來最具競爭力的產品將之更快地推向市場。”
此電容可確保在惡劣環境下的可靠的和長期使用的性能。它專門設計應用在軍事和航空航天（如雷達，制導系統，通訊，定位系統和預警系統），引擎蓋下的設備以及石油和天然氣工業（下降鉆孔）領域。
無論您的要求是什么......六個標準封裝可供選擇，包括EIA1005，0201，0402，0603，0805和1206尺寸。電容器可選擇11 V和100 V的直流電壓等級，電容量可從pF到12µF。電容公差包括+/ -5％，+/ -10％和+/ -20％。現可提供樣品與量產。
