IPDIA推出第一個商用化的10μF硅電容器
2012-02-09 21:09:25 本站原創IPDIA是領先的3D硅被動元件供應商，為電子市場帶來了第一個10µF的硅電容，具有出色的穩定性和可靠性特點，是專為要求苛刻的應用而設計的。
IPDIA開拓硅電容產品組合，引入新的使用專利3D硅技術的10µF電容，其低漏電流可低至12 nA，填補了較低的漏電流在電池供電的產品的需求。
IPDIA營銷總監洛朗·杜博斯(Laurent Dubos)說：“IPDIA三維硅技術為電容器業務帶來驕人的業績。比如，在心臟刺激器應用中，這樣的低漏電流比起使用鉭電容來要增加相當于百天的使用壽命。”
根據此類電容器在電壓方面的高穩定性（<0.1％/ V）和老化特性，它超過了在醫療，航空航天，汽車和工業等市場的需求。IPDIA硅電容提供的工作溫度范圍從-55°C至+100°C，電容位移限制在+/-1％。由于其非常低的等效電阻(ESR)和等效電感(ESL)，這種電容具有優良的高頻噪聲特性，可非常有效地輸出直流濾波。
IPDIA的技術提供產品失效率（FIT）在37°C時比標準表面貼裝元件(SMD)好上十倍，在85°C時好上一萬倍。這表現證明了此硅元件的強健可靠性。
無論您的要求是什么...... IPDIA還提供包括EIA1005，0201，0402，0603，0805和1206尺寸在內的電容，種類繁多。
