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IPDIA推出第一個商用化的10μF硅電容器

2012-02-09 21:09:25 本站原創
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IPDIA是領先的3D硅被動元件供應商,為電子市場帶來了第一個10µF的硅電容,具有出色的穩定性和可靠性特點,是專為要求苛刻的應用而設計的。

IPDIA開拓硅電容產品組合,引入新的使用專利3D硅技術的10µF電容,其低漏電流可低至12 nA,填補了較低的漏電流在電池供電的產品的需求。

IPDIA營銷總監洛朗·杜博斯(Laurent Dubos)說:“IPDIA三維硅技術為電容器業務帶來驕人的業績。比如,在心臟刺激器應用中,這樣的低漏電流比起使用鉭電容來要增加相當于百天的使用壽命。”

根據此類電容器在電壓方面的高穩定性(<0.1%/ V)和老化特性,它超過了在醫療,航空航天,汽車和工業等市場的需求。IPDIA硅電容提供的工作溫度范圍從-55°C至+100°C,電容位移限制在+/-1%。由于其非常低的等效電阻(ESR)和等效電感(ESL),這種電容具有優良的高頻噪聲特性,可非常有效地輸出直流濾波。

IPDIA的技術提供產品失效率(FIT)在37°C時比標準表面貼裝元件(SMD)好上十倍,在85°C時好上一萬倍。這表現證明了此硅元件的強健可靠性。

無論您的要求是什么...... IPDIA還提供包括EIA1005,0201,0402,0603,0805和1206尺寸在內的電容,種類繁多。

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