英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC（
碳化硅）肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。
獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術大大降低了內(nèi)部
芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內(nèi)部隔離層的散熱缺陷。英飛凌推出的600 V FullPAK產(chǎn)品系列的額定電流范圍為2 A至6 A，是業(yè)界采用這種封裝的SiC二極管最全的產(chǎn)品系列。
碳化硅（SiC）是一種適用于功率
半導體的革命性材料，其物理屬性遠遠優(yōu)于硅功率器件。關鍵特性包括標桿性的開關性能、沒有反向恢復電流、溫度幾乎不會影響開關行為和標準工作溫度范圍為-55°至175°C。SiC肖特基二極管的主要應用領域有，開關
電源（SMPS）中的有源功率因素校正（PFC），以及諸如太陽能逆變器和電機驅動裝置等其他AC/DC和DC/DC功率轉換應用。FullPAK產(chǎn)品系列特別適用于平板顯示器（LCD/PDP）和計算機中的
電源應用。
早在2001年，英飛凌就率先推出了全球第一款SiC肖特基二極管。過去幾年，英飛凌的SiC肖特基二極管技術已經(jīng)在諸如抗浪涌電流穩(wěn)定性、開關性能、產(chǎn)品成本和封裝等方面，取得了許多顯著進步，進一步發(fā)揮了SiC技術的優(yōu)越性。SiC肖特基二極管有兩個電壓級別：600 V和1200 V。
