IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET
2010-03-17 15:11:01 本站原創IR推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現業界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2mΩ，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“憑借在基準MOSFET技術方面的豐富經驗和不斷努力，IR推出了結合我們最新一代芯片與PQFN封裝技術的MOSFET系列，實現了業界領先的RDS(on) ，繼續開創卓越性能的先河。此外，在未來幾個月，我們將按照產品路線圖推出寬泛組合的PQFN基準MOSFET產品，以滿足客戶的需求。”
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專為DC開關應用設計的，例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機驅動應用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 達到了 50nC。
如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不僅能夠實現卓越的熱性能，還可以根據給定的功率損耗要求，比現有解決方案使用更少的元件，節省電路板空間及成本。
所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W)，并達到一級濕敏 (MSL1) 工業合格水平，也不含鉛、溴化物和鹵素，且符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
IRFH6200TRPbF產品規格
器件編號 | 封裝 | 電壓 | 最大Vgs | Rdson max @ Vgs=4.5 | Rdson max @ Vgs=2.5 | Id @ Tc=25 |
IRFH6200TRPbF | PQFN 5x6mm | 20 V | ±12V | 1.2 mΩ | 1.4 mΩ | 100 A |
IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF產品規格
器件編號 | 封裝 | 電壓 | Rdson max @ Vgs=10 | Rdson max @ Vgs=4.5 | Qg typ @ Vgs=4.5 | Id @ Tc=25 |
IRFH5250TRPbF | PQFN 5x6mm | 25 V | 1.15 mΩ | 1.7 mΩ | 52 nC | 100 A |
IRFH5300TRPbF | PQFN 5x6mm | 30 V | 1.4 mΩ | 2.1 mΩ | 50 nC | 100 A |
IRFH5301TRPbF | PQFN 5x6mm | 30 V | 1.85 mΩ | 2.9 mΩ | 37 nC | 100 A |
IRFH5302TRPbF | PQFN 5x6mm | 30 V | 2.1 mΩ | 3.5 mΩ | 29 nC | 100 A |
有關產品現正接受批量訂單。
