IR推出氮化鎵集成功率級(jí)器件iP2010和iP2011
2010-03-11 11:23:55 本站原創(chuàng)國(guó)際整流器公司IR推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
iP2010和iP2011集成了非常先進(jìn)的超快速PowIRtune驅(qū)動(dòng)器IC，并匹配一個(gè)多開(kāi)關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個(gè)倒裝芯 片封裝平臺(tái)上，可帶來(lái)比最先進(jìn)的硅集成功率級(jí)器件更高的效率和超出雙倍的開(kāi)關(guān)頻率。
iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達(dá)30A。這個(gè)器件最高運(yùn)行頻率為3MHz。在 5MHz運(yùn)行時(shí)，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍，但后者經(jīng)過(guò)優(yōu)化，從而使最高輸出電流高達(dá)20A。通過(guò)以通用占位面 積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對(duì)電流水平、性能和成本的要求。
這兩種器件采用細(xì)小占位面積的LGA封裝，為極低的功率損耗作出了優(yōu)化，并提供高效率的雙面冷卻功能，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
iP2010產(chǎn)品規(guī)格
|
產(chǎn)品編號(hào) |
封裝 |
Vin范圍 (V) |
Vout范圍 (V) |
最大Iout (A) |
開(kāi)關(guān)頻率范圍 (kHz) |
|
iP2010TRPBF |
7.7 x 6.5mm LGA |
7-13.2 |
0.6-5.5 |
30 |
250-3,000 |
iP2011產(chǎn)品規(guī)格
|
產(chǎn)品編號(hào) |
封裝 |
Vin范圍 (V) |
Vout范圍 (V) |
最大Iout (A) |
開(kāi)關(guān)頻率范圍 (kHz) |
|
iP2011TRPBF |
7.7 x 6.5mm LGA |
7-13.2 |
0.6-5.5 |
20 |
250-5,000 |
單頁(yè)的數(shù)據(jù)表已刊登在IR的網(wǎng)站 www.irf.com。IR也會(huì)向合格客戶提供完整的數(shù)據(jù)表、演示板和樣品。
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