恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
2010-03-05 19:45:11 本站原創恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶 體管的前8種產品。該產品家族分成兩種優化的分支：超低VCEsat晶 體管以及高速開關晶 體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
這些晶 體管稱為突破性小信號(BISS)晶 體管，正如其名，它們為減少打開導通電阻確立了新的基準，使開關時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶 體管在1 A時實現了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關晶 體管使開關和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產品表明，雙極晶 體管技術為要求更高性能和降低開關損耗的應用提供了理想選擇。
恩智浦半導體小信號晶 體管產品市場經理Frank Thiele說，“通過推出采用杰出的低電阻基底技術的第四代BISS晶 體管，恩智浦為采用小型SMD封裝的低VCEsat 晶 體管確立了行業發展方向，為雙極晶 體管技術打開了新的應用。”
新的BISS-4晶 體管提供了高電路效率、低功率損耗，產生的熱量要小于相同封裝的標準晶 體管。這些新產品的DC集電極電流為4.3 A (峰值 ICM 8 A)，采用小型SOT23封裝，其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶 體管的兩倍。新的BISS-4晶 體管是為大批量消費者應用、通信應用、計算應用和汽車應用中的負荷開關、開關式電源(SMPS)和電源管理功能設計的。
所有8種新型晶 體管都滿足AEC-Q101標準，其封裝不含鹵化物和氧化銻，滿足UL 94V-0阻燃標準和RoHS標準。在2010年第一季度末即將推出的SMD封裝的其它類型SOT89、SOT223和SO-8，將擴大新的低VCEsat (BISS)晶 體管系列。恩智浦半導體在10年前推出了BISS晶 體管家族，目前是這些產品的領導供應商。
上市時間
恩智浦最新推出的低VCEsat 晶 體管現可訂貨。恩智浦可以立即為設計提供樣品。
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