500V和600V的高壓MOSFET
2010-02-23 14:32:00 本站原創這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET，以提供有競爭力的低導通阻抗(RDS(on))實現極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術，能在極苛刻應用中工作。低門電荷降低開關損耗，還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應用中提供強固的工作。這些器件的優異性能組合幫助開發更高能效的電源子系統。
安森美半導體MOSFET產品分部副總裁兼總經理Paul Leonard說：“推出這些器件系列僅是安森美半導體進軍高壓功率MOSFET市場的第一步。我們戰略性地進入了高壓開關市場，提供充沛的500 V到600 V負載開關方案選擇，更好地服務我們客戶的總體
