東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率
2024-09-25 14:33:06 未知東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。
最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有助于這些新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的[2]1.27 V（典型值）低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應(yīng)用中的設(shè)備功耗。
東芝將繼續(xù)壯大其SiC電源器件的產(chǎn)品線，并將一如既往地專注于提高可降低工業(yè)電源設(shè)備功耗的效率。
? 應(yīng)用：
- 光伏逆變器
- 電動汽車充電站
- 工業(yè)設(shè)備UPS的開關(guān)電源
? 特性：
- 第3代1200 V SiC SBD
- 業(yè)界領(lǐng)先的[2]低正向電壓：VF＝1.27 V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低總電容電荷：TRS20H120H的QC＝109 nC（典型值）（VR＝800 V，f＝1 MHz）
- 低反向電流：TRS20H120H的IR＝2.0 μA（典型值）(VR＝1200 V)
? 主要規(guī)格：
器件型號 | 封裝 | 絕對最大額定值 | 電氣特征 | 樣品查看與供貨情況 | |||||
重復(fù)峰值反向電壓VRRM（V） | 正向DC電流IF(DC)（A） | 非重復(fù)峰值正向浪涌電流IFSM（A） | 正向電壓 （脈沖測量）VF（V） | 反向電流 （脈沖測量）IR（μA） | 總電容電荷 QC （nC） | ||||
溫度條件 Tc（°C） | f＝50 Hz （半正弦波，t＝10 ms），Tc＝25 °C | IF＝IF(DC) | VR＝1200 V | VR＝800 V，f＝1 MHz | |||||
典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||
TRS10H120H | TO-247-2L | 1200 | 10 | 160 | 80 | 1.27 | 1.0 | 61 | 在線購買 |
TRS15H120H | 15 | 157 | 110 | 1.4 | 89 | 在線購買 | |||
TRS20H120H | 20 | 155 | 140 | 2.0 | 109 | 在線購買 | |||
TRS30H120H | 30 | 150 | 210 | 2.8 | 162 | 在線購買 | |||
TRS40H120H | 40 | 147 | 270 | 3.6 | 220 | 在線購買 | |||
TRS10N120HB | TO-247 | 5（每個引腳） 10（雙引腳） | 160 | 40（每個引腳） 80（雙引腳） | 1.27 （每個引腳） | 0.5 （每個引腳） | 30 （每個引腳） | 在線購買 | |
TRS15N120HB | 7.5（每個引腳） 15（雙引腳） | 157 | 55（每個引腳） 110（雙引腳） | 0.7 （每個引腳） | 43 （每個引腳） | 在線購買 | |||
TRS20N120HB | 10（每個引腳） 20（雙引腳） | 155 | 70（每個引腳） 140（雙引腳） | 1.0 （每個引腳） | 57 （每個引腳） | 在線購買 | |||
TRS30N120HB | 15（每個引腳） 30（雙引腳） | 150 | 105（每個引腳） 210（雙引腳） | 1.4 （每個引腳） | 80 （每個引腳） | 在線購買 | |||
TRS40N120HB | 20（每個引腳） 40（雙引腳） | 147 | 135（每個引腳） 270（雙引腳） | 1.8 （每個引腳） | 108 （每個引腳） | 在線購買 | |||
注：
[1] 改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)：該結(jié)構(gòu)將混合式PiN肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)（可在大電流下降低正向電壓）整合在JBS結(jié)構(gòu)（不僅可降低肖特基接口的電場，而且還可減少電流泄漏）中。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的東芝調(diào)查。
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