SK海力士加大環(huán)保投入，在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮
2024-07-25 08:04:14 EETOP7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣（F2）。
SK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產(chǎn)過程中的清洗工藝，用于去除沉積過程中腔室內(nèi)部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著高于氟氣（IT之家注：NF3 的 GWP 為 17200，而 F2 為 0）。
除此之外，SK 海力士還進(jìn)一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設(shè)備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠(yuǎn)低于過去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳?xì)怏w。
免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表EETOP贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé)。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時聯(lián)系我們，我們將在第一時間刪除。
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊
相關(guān)文章
