可達上千億美元市場規模，三星2025 年率先進3D DRAM
2024-04-02 08:51:22 technews外媒Semiconductor Engineering 報導，三星電子于產業會議Memcon 2024 表示，2025 年后進入3D DRAM 時代。
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DRAM 產業將于2030 年前將制程壓縮至10 奈米以下，現有設計方案更難擴展。廠商正在開發3D DRAM 多種創新型設計，以提高記憶體性能。
三星展示兩項3D DRAM 技術，包括垂直通道電晶體（Vertical Channel Transistor）和堆疊DRAM（Stacked DRAM）。相較傳統電晶體結構，垂直通道電晶體將通道從水準變為垂直，大幅減少元件面積，但提升刻蝕精確度要求。相較2D DRAM 結構，堆疊DRAM 可充分利用Z 軸向空間，較小面積容納更多存儲單元，單晶片容納提升至100G 以上。 3D DRAM 市場發展，有望2028 年達千億美元規模。為了與其他記憶體制造商競爭，三星年初在美國矽谷設立新3D DRAM 研發實驗室，以開發先進記憶體。
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