EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
2024-03-05 10:33:31 EETOPEPC推出采用緊湊型QFN封裝(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC轉換、快充、電機驅動和太陽能 MPPT等應用實現更高的功率密度。
全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產品相比，其功率密度提高了一倍。
EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。
憑借超低導通電阻，EPC2361可在電源轉換系統中實現更高的功率密度和更高的效率，從而降低能耗和散熱。它為多種應用諸如高功率 PSU AC/DC同步整流、數據中心的高頻 DC/DC轉換、電動汽車、機器人、無人機和太陽能MPPT的電機驅動器，帶來突破性的性能。
宜普電源轉換公司的首席執行官兼聯合創始人Alex Lidow說：“EPC的新型1 mΩ GaN FET突破了氮化鎵技術的極限，助力客戶創建更高效、更小和更可靠的電力電子系統。”
EPC90156 開發板是一款采用半橋EPC2361 GaN FET，專為100 V最大器件電壓和xx A最大輸出電流而設計，旨在簡化功率系統設計人員對氮化鎵器件的評估過程，以加快產品的上市時間。該板的尺寸為2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)，專為實現最佳開關性能而設計，而且包含所有關鍵組件以便于評估。
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宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵(eGaN?)的功率管理器件的領先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標應用包括直流-直流轉換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動出行、機器人和無人機的電機驅動器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基于eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省占板面積、節能及節省成本的解決方案。eGaN?是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com和觀看優酷。
