SK海力士升級無錫廠：巧用十年前抗擊火災經驗解決EUV光刻機禁運
2024-01-16 12:06:41 EETOP隨著存儲器市場的復蘇，韓國存儲器大廠SK海力士也為了進行擴產作準備，目前正在藉由先前美國給予的出口限制豁免，開始對中國無錫工廠進行制程升級的動作。不過雖然獲得了豁免，但是EUV光刻機還是無法直接用于無錫工廠。而10納米級第四代DRAM卻需要用到EUV光刻機，這無疑牽制了無錫廠的技術升級。不過SK海力士已經想到通過來回運輸的方法能完美解決這一問題。
根據韓國媒體引用市場人士的說法報道指出，SK海力士計劃將中國無錫工廠一部分的C2晶圓廠產能，提升至采用10納米級的第四代（1a）DRAM制程技術，以為了接下來因應市場的需求進行擴產做準備。目前，中國無錫工廠是SK海力士最主要的生產基地，其產能約占SK海力士DRAM總產量的40%。目前，該工廠正在生產10納米級的第二代（1y）和第三代（1z）DRAM產品，屬于較舊制程技術。
報道指出，先前SK海力士預計將中國無錫工廠改造成生產10納米級第四代DRAM，或者更先進制程的目標并不容易，原因是受到美國中國所施行的半導體設備出口禁令所影響。美國政府自2019年起，禁止出口先進的半導體生產必備設備，例如ASML的EUV光刻機到中國境內。而SK海力士預計生產的10納米級第四代DRAM就必須采用EUV光刻機，但由于無法將EUV光刻機引進到無錫工廠，因此無法用正常生產10納米級第四代DRAM。
然而，隨著2023年美國政府給予SK海力士相關的禁令豁免之后，SK海力士開始能夠向其中國無錫工廠進口用于制造18納米制程，或先進制程的DRAM的生產設備。不過，其中的EUV設備的仍然不被允許進口到中國境內，這使得SK海力士要生產10納米級第四代DRAM仍舊卡關。
為解決這樣的問題，SK海力士在制程轉換上選擇以運輸的方式來因應，也就是10納米級制程的第4代DRAM部分生產在中國無錫工廠進行，之后生產出來的晶圓再被送回總部所在的韓國利川園區，進行EUV制程階段，然后再運回無錫完成過程。由于EUV制程在第4代DRAM產品中僅使用單次的曝光應用，所以就增加的成本來說將是SK海力士可以接受的。事實上，該公司在2013年中國無錫工廠發生火災期間，就曾經使用此方法克服DRAM生產中斷問題。不過，對于中國無錫工廠的制程轉換狀況，SK海力士則表示無法確認具體的工廠運營計劃。
報道強調，2013 年 SK 海力士的中國無錫工廠發生火災時，SK 展示了其對運輸的巧妙運用。 當由于某些生產線在當時火災中完全完全被破壞，進而無法立即進行生產時，所以部份生產完成的晶圓被裝載到飛機上，帶回到利川工廠，進行必要的工作，然后再運回中國完成。由于當時的火災，無錫工廠的產能降到每月65,000片的情況，約為原來產能的一半。因此通過運輸的方法，盡可能的將DRAM的供應風險降到最低，并且能在2個半月的時間內快速恢復。這情況顛覆了業界對火災危機將持續六個月至一年的預期，也克服了史無前例的DRAM 供需危機。
而如今，SK 海力士又上演10年前的戲碼。由于美國對中國的制裁，導致EUV光刻機無法引進到中國境內，使得中國無錫工廠的晶圓需要被被轉移到韓國利川工廠，進行10納米級的第四代DRAM的生產。隨著半導體市場進入復蘇階段，高性能芯片的產能擴張也開始進入刻不容緩的時機點。 通過運輸的方式，SK 海力士對高性能芯片生產擴產也有了一個可靠的解決方式。
