Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統級封裝器件，支持多功率等級，為客戶創造競爭優勢
2023-12-28 12:25:09 Transphorm2023 年 12 月 28 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.（偉詮電子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路采用兩家公司合作開發的系統級封裝（SiP）SuperGaN?電源控制芯片WT7162RHUG24A，在準諧振反激式（QRF）拓撲中可實現92.2%的效率。
該參考設計是偉詮電子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓撲USB-C PD適配器控制板。在今年早些時候，偉詮電子發布了65瓦的適配器控制電路。兩款適配器控制板采用同一個SuperGaN SiP，與競爭方案相比，客戶能夠以更優的成本實現100瓦產品設計，從而實現規模效益。這也表明，65瓦功率級SuperGaN SiP同樣滿足100瓦功率級設計的性能和散熱要求。
Transphorm業務發展及市場營銷高級副總裁 Philip Zuk 表示：“基于氮化鎵的集成電路可以簡化設計，這個想法很棒，但必須“做到集成”，必須是封裝內置有必需的控制器的單一集成器件。這正是偉詮電子和Transphorm的SuperGaN SiP的優勢所在。我們推出的系統級封裝是簡單的常閉型解決方案，無需保護電路、驅動器或外部控制器。除此之外，同一顆SiP還適用于65瓦和100瓦的電源適配器。具備了這些亮點的產品和方案，才真正展示出氮化鎵所固有的全面的性能優勢和穩健特性。目前，只有Transphorm的SuperGaN平臺能夠實現。”
偉詮電子市場營銷副總裁Wayne Lo指出：“偉詮電子在AC-DC電源市場的市占率正不斷增長，確保為市場提供最好、最實用的解決方案，對我們來說最為重要。目前，利用氮化鎵材料極具吸引力的諸多性能優勢，電源適配器市場在不斷創新迭代，偉詮電子要做的就是確保客戶能夠受益于氮化鎵的這些優勢——不僅在技術上受益，而且能獲得更好、更全面的投資回報（ROI）。一顆SiP，既滿足適配器物理設計要求，同時又適用于整個適配器系列的不同型號，這是偉詮電子、Transphorm以及客戶的多方共贏。這款新發布的100瓦參考設計方案，有力地證明了我們的技術在低價位市場同樣具有競爭力，而這只是起步，未來可期。”
100瓦適配器參考設計規格
偉詮電子的通用型100瓦電源適配器驗證板按照USB PD 3.0 + PPS 標準設計，用于更快地開發為智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其它智能設備充電的各種扁平高性能電源適配器。主要技術規格如下：
Specification規格 | Detail詳情 |
GaN Device 氮化鎵器件 | WT7162RHUG24A SuperGaN SiP |
Topology 拓撲 | Boundary Mode PFC + Flyback Quasi-Resonant Mode/Valley-Switching Multi-mode Operation 零界模式 PFC + 反激準諧振模式 /谷底開關多模操作 |
Full Load Efficiency 滿載效率 | 91.2% @ 90 VAC/Full Load 91.2% @ 90 VAC/滿載 |
Overall Peak Efficiency 整機峰值效率 | 92.7% @ 264VAC/Full Load 92.7% @ 264VAC/滿載 |
Power Density 功率密度 | 15.8 W/in3 (w/o housing) 15.8 W/in3（無外殼） |
Output Voltage Operation 輸出電壓協議 | USB-C PD 3.0, PPS 3.3 V - 21 V |
No Load Power Loss 空載損耗 | < 50 mW @ 264 VAC < 50 mW（@ 264 VAC） |
Output Voltage and Current 輸出電壓和輸出電流 | PPS: 3.3 V – 21 V/5 A |
EMI Compliant 電磁兼容 | Conducted and Radiated 傳導和輻射 |
Dimensions 外形尺寸 | 69mm x 63mm x 23.8mm |
SuperGaN SiP：結構緊湊、成本效益高、加速產品開發
WT7162RHUG24A是一款真正的集成電路，專為應用于45至100瓦USB-C PD電源適配器而設計。該器件集成了Weltrend的WT7162RHSG08準諧振/多模反激式PWM控制器和Transphorm的240 毫歐姆、650 V SuperGaN? FET。該SiP IC是24引腳8x8 QFN封裝的表面貼裝器件，可實現92.2%的峰值效率。主要優勢包括更高的功率密度和更好的散熱性能，因此，具有更長期的可靠性，且降低BOM物料成本。如需了解更多信息，請訪問：https://transphormusa.cn/en/document/weltsipbd/
供貨情況
如需索取演示板和/或SiP樣品，請聯系Weltrend銷售團隊：sales@weltrend.com.tw
關于Transphorm
Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼TGAN）是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統成本降低20%。Transphorm總部位于美國加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。官網：www.transphormusa.cn 微信公眾號：TransphormGaN氮化鎵。
