CG的ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創新區“最佳演示”
2023-10-10 07:44:35 EETOP是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統 (SoC) 在臺積電 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲“最佳演示”獎。
CGD 的 ICeGaN 已使用臺積電的 GaN 工藝技術為全球客戶進行大批量生產，將典型外部驅動電路的復雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級的元件數量，并顯著提高功率晶體管和整個系統的穩健性和可靠性，同時使用戶能夠將其與所選的柵極驅動器耦合。這一概念可以輕松擴展到更高的功率和電壓，這也是 CGD 正在積極追求的目標。ICeGaN 作為行業首創，可以像 Si MOSFET 一樣驅動 GaN eMode HEMT。正是因為 ICeGaN 給市場帶來的差異化特性，創新區參觀者將其評選為“最佳演示”。創新區是臺積電在歐洲最大的年度活動中為初創客戶展示尖端產品的地方。
