2納米的利器！成本高達3億歐元，High-NA EUV 光刻機年底交付 ！
2023-09-07 11:57:22 EETOP近日，荷蘭半導體設備制造商阿斯麥（ASML） CEO Peter Wennink 表示，盡管有些供應商阻礙，但年底將照計劃，推出下一世代產品線首款產品-High NA EUV。
高數值孔徑（High NA） EUV光刻機只有卡車大小，但每臺成本超過3億歐元。與相機一樣，高數值孔徑 （High NA） EUV 微影曝光設備將從更寬角度收集光線，分辨率提高 70%。對領先半導體制造商生產先進半導體芯片是不可或缺的設備，十年內生產面積更小、性能更好的芯片。
目前，EUV光刻機可以支持芯片制造商將芯片制程推進到3nm制程左右，但是如果要繼續推進到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高數值孔徑（NA）的High-NA光刻機。
相比目前的0.33數值孔徑的EUV光刻機，High-NA EUV光刻機將數值孔徑提升到0.55，可以進一步提升分辨率（根據瑞利公式，NA越大，分辨率越高），從0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通過多重曝光可支持2nm及以下制程工藝芯片的制造）。
市場只有臺積電、英特爾、三星、SK 海力士和美光使用ASML 產品。目前EUV光刻機設備每套價格超過2億美元。英特爾此前曾對外表示，其將率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。根據英特爾的規劃，其將在2024年率先量產Intel 20A和Intel 18A工藝，屆時或將有部分利用High-NA EUV光刻機。
