近日，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML） CEO Peter Wennink 表示，盡管有些供應(yīng)商阻礙，但年底將照計(jì)劃，推出下一世代產(chǎn)品線首款產(chǎn)品-High NA EUV。

高數(shù)值孔徑（High NA） EUV光刻機(jī)只有卡車大小，但每臺(tái)成本超過(guò)3億歐元。與相機(jī)一樣，高數(shù)值孔徑 （High NA） EUV 微影曝光設(shè)備將從更寬角度收集光線，分辨率提高 70%。對(duì)領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體芯片是不可或缺的設(shè)備，十年內(nèi)生產(chǎn)面積更小、性能更好的芯片。

目前，EUV光刻機(jī)可以支持芯片制造商將芯片制程推進(jìn)到3nm制程左右，但是如果要繼續(xù)推進(jìn)到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高數(shù)值孔徑（NA）的High-NA光刻機(jī)。

相比目前的0.33數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)，High-NA EUV光刻機(jī)將數(shù)值孔徑提升到0.55，可以進(jìn)一步提升分辨率（根據(jù)瑞利公式，NA越大，分辨率越高），從0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通過(guò)多重曝光可支持2nm及以下制程工藝芯片的制造）。

市場(chǎng)只有臺(tái)積電、英特爾、三星、SK 海力士和美光使用ASML 產(chǎn)品。目前EUV光刻機(jī)設(shè)備每套價(jià)格超過(guò)2億美元。英特爾此前曾對(duì)外表示，其將率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。根據(jù)英特爾的規(guī)劃，其將在2024年率先量產(chǎn)Intel 20A和Intel 18A工藝，屆時(shí)或?qū)⒂胁糠掷肏igh-NA EUV光刻機(jī)。