東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET，適用于快充設備
2023-05-19 08:57:52 EETOP東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護電路來減少充放電時產(chǎn)生的熱量，以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，同時要求MOSFET小巧纖薄，且具有更低的導通電阻。
SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝，已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也采用該技術(shù)。憑借業(yè)界領先[1]的低導通電阻特性實現(xiàn)了低功耗，而業(yè)界領先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外，新產(chǎn)品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。
東芝將繼續(xù)開發(fā)用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路的MOSFET產(chǎn)品。
? 應用
- 家用電器采用鋰離子電池組的消費類電子產(chǎn)品以及辦公和個人設備，包括智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、游戲控制器、電動牙刷、迷你數(shù)碼相機、數(shù)碼單反相機等。
? 特性
- 業(yè)界領先的[1]低導通電阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
- 業(yè)界領先的[1]低柵源漏電流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
- 小型化超薄TCSPED-302701封裝：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
- 共漏極結(jié)構(gòu)，可方便地用于電池保護電路
? 主要規(guī)格
（除非另有說明，Ta＝25℃）
器件型號 | SSM14N956L | SSM10N954L[2] | ||
配置 | N溝道共漏極 | |||
絕對最大額定值 | 源極-源極電壓VSSS（V） | 12 | ||
柵極-源極電壓VGSS（V） | ±8 | |||
源極電流（DC）IS（A） | 20.0 | 13.5 | ||
電氣特性 | 柵源漏電流IGSS 最大值（μA） | @VGS＝±8V | ±1 | |
源極-源極導通電阻RSS(ON) 典型值（mΩ） | @VGS＝4.5V | 1.00 | 2.1 | |
@VGS＝3.8V | 1.10 | 2.2 | ||
@VGS＝3.1V | 1.25 | 2.4 | ||
@VGS＝2.5V | 1.60 | 3.1 | ||
封裝 | 名稱 | TCSPED-302701 | TCSPAC-153001 | |
尺寸典型值（mm） | 2.74×3， 厚度＝0.085 | 1.49×2.98， 厚度＝0.11 | ||
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