臺積電技術大秀！揭示最新技術新發展
2023-04-27 11:49:43 EETOP臺積電在美國當地時間26 日舉辦2023 年北美技術論壇，會中揭示其最新的技術發展，包括2納米技術進展，及業界領先的3納米技術家族新成員，以提供廣泛的技術組合滿足客戶多樣化的需求。其中包括支持更佳功耗、效能與密度的強化版N3P 制程、為高效能運算應用量身打造的N3X 制程、以及支持車用客戶及早采用業界最先進制程技術的N3AE 解決方案等。
臺積電總裁魏哲家表示，臺積電的客戶從未停止尋找新方法，以利用芯片的力量為世界帶來令人驚嘆的創新，并創造更美好的未來。憑借著相同的精神，臺積電也持續成長進步，加強并推進我們的制程技術，提高效能、功耗效率及功能性，協助客戶在未來持續釋放更多的創新。
1. 更廣泛的3納米技術組合，包括N3P、N3X、以及N3AE。因為隨著N3 制程已進入量產，強化版N3E 制程預計將于2023 年量產，臺積電推出更多3納米技術家族成員以滿足客戶多樣化的需求。
N3P 預計于2024 年下半年進入量產，相較于N3E，在相同漏電下，速度增快5%。在相同速度下，功耗降低5~10%，芯片密度增加4%。
N3X 著重于效能與最大時脈頻率以支持高效能運算應用，相較于N3P，在驅動電壓1.2伏特下，速度增快5%，并擁有相同的芯片密度提升幅度，預計于2025 年進入量產。
N3AE 將提供以N3E 為基礎的汽車制程設計套件(PDK)，預計于2023 年推出，讓客戶能夠提早采用3納米技術來設計汽車應用產品，以便于2025 年及時采用屆時已全面通過汽車制程驗證的N3A 制程。
2.納米技術開發進展良好。臺積電2納米技術采用納米片晶體管架構，在良率與元件效能上皆展現良好的進展，將如期于2025 年量產。相較于N3E，在相同功耗下，速度最快將可增加至15%。在相同速度下，功耗最多可降低30%，同時芯片密度增加大于15%。
3. N4PRF 推進CMOS 射頻技術之極限。在2021 年推出N6RF 技術后，臺積電進一步開發N4PRF，此為業界最先進的互補式金屬氧化物半導體(CMOS) 射頻技術，以支持Wi-Fi 7 射頻系統單芯片等數位密集型的射頻應用。相較于N6RF，N4PRF 邏輯密度增加77%，且在相同速度下，功耗降低45%。
4. TSMC 3DFabricTM 先進封裝及硅晶堆疊。臺積電3DFabric系統整合技術之主要新發展包括:
先進封裝：為了滿足高效能運算應用在單一封裝中置入更多處理器及存儲器的需求，臺積電正在開發具有高達6 個光罩尺寸(約5,000 平方毫米) 重布線層(RDL) 中介層的CoWoS 解決方案，能夠容納12 個高頻寬存儲器堆疊。
三維芯片堆疊：臺積電宣布推出SoIC-P，做為系統整合芯片(SoIC) 解決方案的微凸塊版本，提供具有成本效益的方式來進行3D 芯片堆疊，SoIC-P 加上目前的SoIC-X 無凸塊解決方案，使得臺積電的3D IC 技術更臻完善。
設計支持：臺積電推出開放式標準設計語言的最新版本3DbloxTM 1.5，旨在降低三維集成電路(3D IC) 的設計門檻。3DbloxTM 1.5 增加了自動凸塊合成的功能，協助芯片設計人員處理具有數千個凸塊的復雜大型芯片，可縮短數個月的設計時程。
另外，臺積電技術論壇后續將陸續在包括美國奧斯丁、波士頓、歐洲、以色列、中國大陸、以及日本舉行。其中，5/11 將移師臺北舉辦。
