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應(yīng)材指出，為了優(yōu)化芯片的面積和成本，愈來愈多客戶運(yùn)用極紫外光雙重圖案化技術(shù) （EUV double-patterning），來轉(zhuǎn)印比EUV分辨率極限更小的芯片特征（chip features）。藉由EUV雙重圖案化技術(shù)，芯片制造商可將高密度的圖案分成兩半，并產(chǎn)生兩個符合EUV解析度極限的光罩。這兩半圖案在中間圖案化薄膜上結(jié)合，然后蝕刻到晶圓上。雖然雙重圖案化能有效提高芯片特征的密度，然而這不但會提高設(shè)計(jì)和圖案化的復(fù)雜性，也增加了消耗時間、能源、材料和水的制程步驟，造成晶圓廠和晶圓生產(chǎn)成本的增加。

應(yīng)材強(qiáng)調(diào)，為協(xié)助芯片制造商在持續(xù)縮小設(shè)計(jì)之際，卻不增加EUV雙重圖案化的成本、復(fù)雜性以及能源和材料消耗，應(yīng)材與一流客戶密切合作，開發(fā)了Centura Sculpta圖案化系統(tǒng)。現(xiàn)在，芯片制造商可以轉(zhuǎn)印單一的EUV圖案，然后利用Sculpta系統(tǒng)在任何選定的方向拉長形狀，以減少特征之間的空隙并提高圖案的密度。由于最終圖案是通過單一的光罩所產(chǎn)生，不但降低設(shè)計(jì)的成本和復(fù)雜性，也消除了雙重圖案化對齊錯誤所帶來的良率風(fēng)險。

應(yīng)材進(jìn)一步解釋，采用EUV雙重圖案化需要增加一些制程步驟，一般包括CVD圖案化薄膜沉積、CMP清洗、光阻劑沉積和移除、EUV微影、電子束量測、圖案化薄膜蝕刻和晶圓清洗。對于它所取代的每個EUV雙重圖案化程序（sequence），Sculpta系統(tǒng)可以提供芯片制造商以下效益，包括每月10萬片初制晶圓（wafer starts）的產(chǎn)能將可節(jié)省約2.5億美元的資本成本、每片晶圓可節(jié)省約50美元的制造成本、每片晶圓可節(jié)約能源超過15千瓦時（kwh）、每片晶圓可直接減少約當(dāng)0.35 公斤以上二氧化碳的溫室氣體排放、以及每片晶圓可節(jié)省約15公升的水等。

應(yīng)材資深副總裁暨半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Prabu Raja表示，新的Sculpta系統(tǒng)充分證明了材料工程的進(jìn)步，可以補(bǔ)強(qiáng)EUV微影技術(shù)，協(xié)助芯片制造商優(yōu)化芯片面積和成本，并解決先進(jìn)芯片制程日益增加的經(jīng)濟(jì)和環(huán)境挑戰(zhàn)。Sculpta 系統(tǒng)獨(dú)特的圖案成形技術(shù)，結(jié)合了應(yīng)用材料公司在帶狀離子束 （ribbon beam） 和材料移除技術(shù)方面的深厚專業(yè)知識，為圖案化工程師提供了突破性的創(chuàng)新工具。