Transphorm的表面貼裝封裝產品系列增加行業標準TO-263 (D2PAK)封裝產品，擴大SuperGaN平臺的優勢
2022-07-19 11:24:07 EETOP新型50mOhm SuperGaN場效應晶體管簡化并加快基于氮化鎵的高功率系統的開發，適用于數據中心和廣泛工業應用
加州戈拉塔-- (新聞稿)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。
TP65H050G4BS通過了JEDEC認證，為設計者和制造商提供了多項優勢，賦能他們開發通常用于數據中心和廣泛工業應用的高功率（數千瓦到幾千瓦）系統。它具有Transphorm一流的可靠性、柵極穩健性(±20 Vmax)和抗硅噪聲閾值(4V)，以及氮化鎵技術所具備的易設計性和驅動性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面貼裝封裝需求。與PQFN封裝相比，D2PAK可以實現更好的熱性能，同時幫助用戶通過單一的制造流程提高PCB組裝效率。
D2PAK可作為分立器件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正(PFC)評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅動多千瓦功率。
Transphorm全球營銷、應用和業務發展高級副總裁Philip Zuk表示：“D2PAK是對我們產品組合的一個重要補充。它將我們的SMD產品的可用性拓展至高功率領域，而之前我們用通孔器件支持這些應用。客戶可獲得我們氮化鎵平臺的多項優勢，如熟悉的TO-XXX封裝消除了設計挑戰、簡化了系統開發并加快了產品上市速度。”
Transphorm是當前提供標準TO-XXX封裝的高壓氮化鎵器件的唯一氮化鎵供應商。值得注意的是，鑒于其固有的柵極損壞敏感性，這些封裝產品不支持替代性的增強型氮化鎵技術。
產品供應
上述器件和評估板可通過下述鏈接在Digi-Key和Mouser上購買：
· TP65H050G4BS FET：Digi-Key / Mouser
· 2.5 kW評估板(TDTTP2500B066B-KIT)：Digi-Key / Mouser
· 1.2 kW 評估板 (TDHBG1200DC100-KIT)：Digi-Key / Mouser
關于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。如需了解更多信息，請訪問 https://www.transphormchina.com/zh/。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。
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