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新型50mOhm SuperGaN場效應(yīng)晶體管簡化并加快基于氮化鎵的高功率系統(tǒng)的開發(fā)，適用于數(shù)據(jù)中心和廣泛工業(yè)應(yīng)用

加州戈拉塔-- (新聞稿)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。

TP65H050G4BS通過了JEDEC認證，為設(shè)計者和制造商提供了多項優(yōu)勢，賦能他們開發(fā)通常用于數(shù)據(jù)中心和廣泛工業(yè)應(yīng)用的高功率（數(shù)千瓦到幾千瓦）系統(tǒng)。它具有Transphorm一流的可靠性、柵極穩(wěn)健性(±20 Vmax)和抗硅噪聲閾值(4V)，以及氮化鎵技術(shù)所具備的易設(shè)計性和驅(qū)動性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面貼裝封裝需求。與PQFN封裝相比，D2PAK可以實現(xiàn)更好的熱性能，同時幫助用戶通過單一的制造流程提高PCB組裝效率。

D2PAK可作為分立器件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正(PFC)評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅(qū)動多千瓦功率。

Transphorm全球營銷、應(yīng)用和業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁Philip Zuk表示：“D2PAK是對我們產(chǎn)品組合的一個重要補充。它將我們的SMD產(chǎn)品的可用性拓展至高功率領(lǐng)域，而之前我們用通孔器件支持這些應(yīng)用。客戶可獲得我們氮化鎵平臺的多項優(yōu)勢，如熟悉的TO-XXX封裝消除了設(shè)計挑戰(zhàn)、簡化了系統(tǒng)開發(fā)并加快了產(chǎn)品上市速度。”

Transphorm是當前提供標準TO-XXX封裝的高壓氮化鎵器件的唯一氮化鎵供應(yīng)商。值得注意的是，鑒于其固有的柵極損壞敏感性，這些封裝產(chǎn)品不支持替代性的增強型氮化鎵技術(shù)。

產(chǎn)品供應(yīng)

上述器件和評估板可通過下述鏈接在Digi-Key和Mouser上購買：

· TP65H050G4BS FET：Digi-Key / Mouser

· 2.5 kW評估板(TDTTP2500B066B-KIT)：Digi-Key / Mouser

· 1.2 kW 評估板 (TDHBG1200DC100-KIT)：Digi-Key / Mouser

關(guān)于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導者，致力于設(shè)計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，Transphorm能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新：設(shè)計、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。如需了解更多信息，請訪問 https://www.transphormchina.com/zh/。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關(guān)注我們。

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