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SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

2021-10-20 11:46:31 EETOP

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EETOP消息，10月20日SK海力士宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。

HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術(shù)*，由多個垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價值產(chǎn)品，創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度。

*HBM版本名稱：HBM(第一代) - HBM2(第二代) - HBM2E(第三代)

SK海力士去年7月在業(yè)界首次開始批量生產(chǎn)HBM2E* DRAM后，時隔僅1年零3個月開發(fā)了HBM3，鞏固了該市場的主導(dǎo)權(quán)。

*HBM2E ：從第二代HBM2中改進(jìn)部分性能的擴(kuò)展(Extended)版本

SK海力士強(qiáng)調(diào)，“通過此次HBM3，不僅實現(xiàn)了目前為止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，還大幅提高了質(zhì)量水平。”

SK海力士研發(fā)的HBM3能夠每秒處理819GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸 163部全高清(Full-HD)電影(每部5GB)。與上一代HBM2E相比，速度提高了約78%。

與此同時，該產(chǎn)品還內(nèi)置了ECC校檢(On Die-Error Correction Code)。HBM3通過該內(nèi)置型ECC校檢可以自身修復(fù)DRAM單元(cell)的數(shù)據(jù)的錯誤，因此產(chǎn)品的可靠性也大幅提高。

此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業(yè)界最大的容量。為了實現(xiàn)24GB，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm, 10-6m)，相當(dāng)于A4紙厚度的1/3，然后使用TSV技術(shù)垂直連接12個芯片。

關(guān)鍵詞：海力士 HBM3 DRAM