臺(tái)積電將“爆發(fā)”：明年10NM，后年7NM
2015-04-20 09:13:30 本站原創(chuàng)臺(tái)積電這些年幾乎在每一代新工藝上都會(huì)遭遇不順，最新的16nm FinFET更是量產(chǎn)推遲被三星14nm FinFET搶盡了風(fēng)頭，不過(guò)作為代工廠老大怎么能屈服？畫(huà)個(gè)大餅總是可以的。
臺(tái)積電在近日的季度財(cái)務(wù)會(huì)議上宣布，將于2016年給大家?guī)?lái)10nm工藝，再往后的2017年則做到7nm——一年一代的節(jié)奏啊！Intel都要下跪啊！
臺(tái)積電表示，兩種新工藝都進(jìn)展順利，均可以按計(jì)劃搞定，而且都會(huì)像16nm一樣集成FinFET立體晶體管技術(shù)。臺(tái)積電甚至披露，已經(jīng)開(kāi)始與客戶合作開(kāi)發(fā)10nm芯片的設(shè)計(jì)了，將在今年第四季度完成驗(yàn)證，明年底即可量產(chǎn)。
而對(duì)于當(dāng)下的16nm，臺(tái)積電表示問(wèn)題都已經(jīng)解決，特別是良品率已經(jīng)接近成熟水平，第三季度就能投入量產(chǎn)了。
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