預計到 2022 年，適合雷達應用的 RF 前端組件的需求量將超過 10 億美元，未來五年的復合年增長率為 9%。由于 GaN 普及率明顯超過其他技術選項，因此預計未來五年，國防應用的 RF GaN 器件市場（如雷達、電子戰和通信）的復合年增長率將達到 24%。
Qorvo 的新型 FEM（QPM2637 和 QPM1002）采用公司的創新 GaN 技術構建，可實現更高的效率、可靠性、功率和生存性，同時可縮減尺寸、重量和成本。
GaN FEM 在緊湊的單封裝中集成了四種功能，包括 RF 開關、功率放大器、低噪聲放大器和限幅器。典型的砷化鎵 (GaAs) 低噪聲放大器在不到 100mW 的輸入功率條件下都會受損，與之相比，GaN FEM 的接收端可承受最高 4W 的輸入功率，且不會造成永久損壞。
Qorvo 高性能解決方案總經理 Roger Hall 表示：“利用 Qorvo 經過現場驗證的 GaN 技術，客戶可解決許多 AESA 雷達系統設計相關挑戰，包括提高功率輸出和可靠性。新推出的 GaN 模塊符合出口要求，提升了我們交付最高級別集成產品（四合一產品）的能力，有助于客戶針對任務關鍵性雷達系統選擇尺寸最小但性能最高的 FEM。”
