Vishay推出性能先進(jìn)的新款40V MOSFET
2024-12-05 08:33:07 EETOP2024年12月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。
日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0.34 mW，最大限度減少了傳導(dǎo)造成的功率損耗，從而提高了效率，同時(shí)通過低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了熱性能。SiJK140E允許設(shè)計(jì)人員使用一個(gè)器件（而不用并聯(lián)兩個(gè)器件）實(shí)現(xiàn)相同的低導(dǎo)通電阻，從而提高了可靠性，并延長了平均故障間隔時(shí)間（MTBF）。
MOSFET采用無線鍵合（BWL）設(shè)計(jì)，最大限度減少了寄生電感，同時(shí)最大限度提高了電流能力。采用打線鍵合（BW）封裝的TO-263-7L解決方案電流限于200 A，而SiJK140E可提供高達(dá)795 A的連續(xù)漏極電流，以提高功率密度，同時(shí)提供強(qiáng)大的SOA功能。與TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封裝占位面積為120 mm2，可節(jié)省27 %的PCB空間，同時(shí)厚度減小50 %。
SiJK140E非常適合同步整流、熱插拔和OR-ing功能。典型應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電動(dòng)工具、焊接設(shè)備、等離子切割機(jī)、電池管理系統(tǒng)、機(jī)器人和3D打印機(jī)。為了避免這些產(chǎn)品出現(xiàn)共通，標(biāo)準(zhǔn)級(jí)FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。MOSFET符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。
PPAK10x12與 TO-263-7L規(guī)格對(duì)比
產(chǎn)品編號(hào) | SiJK140E | SUM40014M | 性能改進(jìn) | |
封裝 | PowerPAK10x12 | TO-263-7L | - | |
尺寸 (mm) | 10 x 12 | 10.4 x 16 | +27 % | |
高度 | 2.4 | 4.8 | +50 % | |
VDS (V) | 40 | 40 | - | |
VGS (V) | ± 20 | ± 20 | - | |
配置 | 單 | 單 | - | |
VGSth (V) | 最小值 | 2.4 | 1.1 | +118 % |
RDS(on) (m?) @ 10 VGS | 典型值 | 0.34 | 0.82 | +58 % |
最大值 | 0.47 | 0.99 | +53 % | |
Qg (nC) @ 10 VGS | 典型值 | 312 | 182 | - |
FOM | - | 106 | 149 | +29 % |
ID (A) | 最大值 | 795 | 200 | +397 % |
RthJC (C/W) | 最大值 | 0.21 | 0.4 | 47 % |
SiJK140E現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，訂貨周期為36周。
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊
相關(guān)文章
