安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布 新的用于電動(dòng)車(chē)充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
2021-06-09 07:59:20
安森美半導(dǎo)體
點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號(hào)，后臺(tái)告知EETOP論壇用戶名，獎(jiǎng)勵(lì)200信元
2021年6月8日—推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布一對(duì)1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強(qiáng)其用于充滿挑戰(zhàn)的電動(dòng)車(chē) (EV) 市場(chǎng)的產(chǎn)品系列。
隨著電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(zhǎng)，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒(méi)有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過(guò)350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強(qiáng)的可靠性都是設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)。
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊，基于平面技術(shù)，適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓，易于用負(fù)門(mén)極電壓驅(qū)動(dòng)。它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度。
NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構(gòu)，是采用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳，是工業(yè)應(yīng)用的理想選擇，且嵌入的一個(gè)負(fù)溫系數(shù) (NTC) 熱敏電阻有助于溫度監(jiān)測(cè)。
新的SiC MOSFET模塊是安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車(chē)充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分，被設(shè)計(jì)為與NCD5700x器件等驅(qū)動(dòng)器方案一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。
NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。該高電流器件（在米勒平臺(tái)電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A）適合高速工作，因?yàn)榈湫蛡鞑パ舆t為60 ns。
安森美半導(dǎo)體的 SiC MOSFET與新的模塊和門(mén)極驅(qū)動(dòng)器相輔相成，比類(lèi)似的硅器件提供更勝一籌的開(kāi)關(guān)性能和增強(qiáng)的散熱性，令能效和功率密度更高，電磁干擾 (EMI) 得以改善，并減小系統(tǒng)尺寸和重量。
最近發(fā)布的 650 V SiC MOSFET 采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，使(RDS(on)*area) 的品質(zhì)因數(shù) (FoM) 達(dá)到同類(lèi)最佳。該系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市場(chǎng)上采用D2PAK7L / TO247 封裝的具有最低RDS(on) 的MOSFET。
1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小，減少了器件電容和門(mén)極電荷（Qg - 低至220 nC），從而減少電動(dòng)車(chē)充電樁所需高頻工作的開(kāi)關(guān)損耗。
在 APEC 2021 期間，安森美半導(dǎo)體將展示用于工業(yè)應(yīng)用的 SiC方案，并在展商研討會(huì)上介紹電動(dòng)車(chē)非車(chē)載充電方案。
欲注冊(cè)觀展，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://apec-conf.org/conference/registration/。
- 完 -
更多資源及文檔：
登錄頁(yè)：能源基礎(chǔ)設(shè)施
視頻：25 kW SiC模塊電動(dòng)車(chē)直流快速充電樁電源級(jí)
白皮書(shū)：全面解析快速直流充電
關(guān)于安森美半導(dǎo)體
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)致力于推動(dòng)高能效電子創(chuàng)新，使世界更綠、更安全、包容及互聯(lián)。公司已轉(zhuǎn)變?yōu)榭蛻羰走x的電源、模擬、傳感器及聯(lián)結(jié)方案供應(yīng)商。公司卓越的產(chǎn)品幫助工程師解決他們?cè)?a href="http://www.xebio.com.cn/auto" target="_blank" class="keylink">汽車(chē)、工業(yè)、云電源及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用中最獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
安森美半導(dǎo)體運(yùn)營(yíng)反應(yīng)敏銳、可靠的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項(xiàng)目，及強(qiáng)大的 環(huán)境、社會(huì)、公司管治(ESG)計(jì)劃。公司總部位于美國(guó)亞利桑那州菲尼克斯，在其主要市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷(xiāo)售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的全球業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.cn。
• 請(qǐng)關(guān)注官方微博@安森美半導(dǎo)體
關(guān)鍵詞：
安森美半導(dǎo)體
碳化硅
MOSFET
