Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度
2021-05-28 08:32:46
Nexperia
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奈梅亨，2021年5月27日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。
Nexperia產品市場經理Neil Massey評論道：“新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合，后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。低RDS(on)能夠讓我們將更多芯片封入在封裝中，從而提高功率密度，縮小器件管腳尺寸。”
這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8 x 8 x 1.7 mm，具有領先的線性模式/安全工作區(qū)域(SOA)特性，可在大電流條件下安全可靠地開關工作。在1 ms、20 VDS的工作條件下，由于芯片和封裝的組合，SOA為35 A，而在10 ms、20 VDS的工作條件下，此時封裝將起主導作用，SOA為17 A。這些數據優(yōu)于競品1.5倍至2倍。這些器件還提供最佳單脈沖雪崩額定值(EAS) 2.3 J以及超強ID電流額定值500 A，與其他競品不同的是，該值是測量得出的極限，而非理論上的極限。
憑借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的優(yōu)勢，設計人員能夠用一個新型LFPAK88替換兩個并行老式器件，從而簡化制造和提高可靠性。符合AEC-Q101標準的BUK7S0R5-40H器件提供超出車規(guī)標準要求兩倍的可靠性，適合制動、助力轉向、電池防反保護、e-fuse、DC-DC轉換器和電機控制應用。工業(yè)PSMNR55-40SSH MOSFET適合電動工具、電器、風扇、電動自行車、滑板車和輪椅中的電池隔離、電流限制、e-fuse、電機控制、同步整流和負載開關應用。
有關更多信息，包括產品規(guī)范和數據手冊，請訪問www.nexperia.com/lfpak88。 需詳細了解LFPAK88銅夾片封裝的獨特構造，請觀看https://bit.ly/3yd47xQ
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