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用有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器閉環(huán)

2019-11-14 15:01:08 安森美
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1.前言
有源鉗位正激(ACF)控制器在高頻dc-dc模塊中很受歡迎:近零電壓開(kāi)關(guān)、減小尺寸的磁性器件和高能效的設(shè)計(jì)是ACF的特點(diǎn)。如果設(shè)計(jì)功率級(jí)需要注意任何高功率設(shè)計(jì),那么從轉(zhuǎn)換器的控制-輸出傳遞函數(shù)可以很好地了解補(bǔ)償策略,以滿足交越和相位裕度等設(shè)計(jì)目標(biāo)。本文將先論述ACF傳遞函數(shù),然后再給出一個(gè)典型的補(bǔ)償示例。
 
2.功率級(jí)運(yùn)行
圖1顯示的是一個(gè)ACF的簡(jiǎn)化電路圖,其具體運(yùn)行細(xì)節(jié)可見(jiàn)參考文獻(xiàn)[1]。正常情況下,晶體管Q1在經(jīng)典的正激轉(zhuǎn)換器中工作,但當(dāng)它關(guān)斷時(shí),其退磁過(guò)程會(huì)涉及到鉗位電容Cclp和初級(jí)電感Lmag之間的諧振周期。一部分存儲(chǔ)在磁化電感中的能量會(huì)將漏極連接處的集總電容轉(zhuǎn)移,同時(shí)VDS(t)上升,直到找到流過(guò)Q2體二極管的路徑。然后,通過(guò)在零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)條件下導(dǎo)通Q2,使后者短路:現(xiàn)在,Q1的漏極被鉗位到Vin加 Cclp的電壓Vclp。考慮到Lmag和Cclp之間的諧振周期,循環(huán)電流最終會(huì)反轉(zhuǎn),并流過(guò)Q2(導(dǎo)通狀態(tài))和磁化電感Lmag。
 

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圖1:有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器可以高開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行
         
在某個(gè)點(diǎn),控制器將指示Q2開(kāi)通,迫使電流離開(kāi)包括Cclp在內(nèi)的網(wǎng)格,自然地流過(guò)輸入源Vin和漏極集總電容:漏極節(jié)點(diǎn)開(kāi)始下降,直到一個(gè)新的開(kāi)關(guān)周期,從而降低了導(dǎo)通損耗。
 


圖2:當(dāng)把死區(qū)時(shí)間調(diào)整得很好時(shí),就可實(shí)現(xiàn)近ZVS的運(yùn)行
 
如圖2所示,在MOSFET轉(zhuǎn)換之間插入了一個(gè)死區(qū)時(shí)間,從而提供了產(chǎn)生漏源諧振周期的時(shí)間,該周期現(xiàn)在涉及Clump 的Lmag,以達(dá)到一個(gè)谷點(diǎn)。在某些運(yùn)行條件下(較小的輸出電流),漏波觸地會(huì)導(dǎo)致零導(dǎo)通損耗。
 
 3.傳遞函數(shù)
在補(bǔ)償轉(zhuǎn)換器或任何系統(tǒng)之前,您需要功率級(jí)的控制-輸出傳輸函數(shù)。換句話說(shuō),如果您想用正弦波來(lái)激勵(lì)控制輸入,這里指的是脈寬調(diào)制器(PWM),那如何通過(guò)功率級(jí)來(lái)傳輸信息,并在輸出中產(chǎn)生響應(yīng)呢?將響應(yīng)與激勵(lì)聯(lián)系起來(lái)的數(shù)學(xué)關(guān)系就是我們需要的傳遞函數(shù)H。
公式(1)導(dǎo)出了電壓模式下ACF的控制-輸出傳遞函數(shù),通過(guò)四階多項(xiàng)式描述了該轉(zhuǎn)換器:


                         
方程由兩個(gè)部分組成:左邊是經(jīng)典正激轉(zhuǎn)換器項(xiàng),其中:


 
                                                                                     
公式(1)中的第二項(xiàng)表示有源鉗位電路的增加,以及圍繞Cclp和Lmag建立諧振網(wǎng)絡(luò)的影響:
 
                                                                                            
 
在這些表達(dá)式中,rL和rC分別表示輸出電感(Lout)和電容(Cout)等效串聯(lián)電阻(ESR),ron1表示主開(kāi)關(guān)晶體管rDS(on),ron2表示有源鉗位晶體管rDS(on),N表示變壓器匝比,D0表示靜態(tài)占空比。
 
根據(jù)該表達(dá)式,我們可獲得10-Hz至100-kHz頻率范圍的幅值和相位響應(yīng)的波特圖(如圖3所示)。各器件的值即為由安森美半導(dǎo)體的NCP1566參考文獻(xiàn)[2]供電的3.3-V/30-A dc-dc模塊的值。有源鉗位部分是特意非阻尼的,并假定Q2 是低rDS(on)的MOSFET。



圖3:控制-輸出傳遞函數(shù)顯示一個(gè)諧振陷波,強(qiáng)調(diào)出現(xiàn)雙零點(diǎn)的相位
 
當(dāng)頻率達(dá)到公式(3)所描述的諧振時(shí),您可觀察到受相位嚴(yán)重失真影響的幅值毛刺。幅值下降歸因于一次側(cè)諧振電流的突增,這導(dǎo)致了一次側(cè)功率MOSFET Q1的壓降。如公式(1)中右側(cè)項(xiàng)所示,此壓降會(huì)從輸入電壓Vin中減去,并創(chuàng)建可觀察到的響應(yīng)陷波。根據(jù)參考文獻(xiàn)[3]和文獻(xiàn)[4]的建議,選擇一個(gè)在Lmag-Cclp的最小諧振頻率之前的交越點(diǎn)是明智的,因?yàn)榇藭r(shí)存在嚴(yán)重的相位滯后。但是,如果在有源鉗位電路中施加適當(dāng)?shù)淖枘幔瑒t可以擴(kuò)展交越。如參考文獻(xiàn)[5]所示,在瞬態(tài)條件下,必須仔細(xì)研究這種決策對(duì)主MOSFET漏源峰值電壓的影響。圖4顯示相同的傳遞函數(shù),現(xiàn)在被Q2的2.5-Ω rDS(on)所抑制:幅值和相位響應(yīng)非常接近經(jīng)典正激轉(zhuǎn)換器的幅值和相位響應(yīng),而且可以在諧振陷波之外選擇fc。

圖4:當(dāng)受阻抑時(shí),諧振的毛刺效應(yīng)會(huì)減弱,您可將交越推到諧振之外。
 
4.脈寬調(diào)制器
公式 (1) 中給出的表達(dá)式不包括PWM模塊的影響。在一個(gè)隔離開(kāi)的dc-dc轉(zhuǎn)換器中,調(diào)節(jié)回路位于二次側(cè),光耦合器會(huì)偏置控制器反饋引腳來(lái)控制占空比。在大功率轉(zhuǎn)換器中常見(jiàn)的一種方案是并聯(lián)調(diào)節(jié)器:光耦合器不是通過(guò)公共發(fā)射極配置將引腳拉低至接地,而是通過(guò)發(fā)射極連接控制器并注入電流。此電流在內(nèi)部呈鏡像,可以拉低一個(gè)由50kΩ電阻加載的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。這種電壓偏置PWM比較器,可確保穩(wěn)壓。當(dāng)輸入動(dòng)態(tài)電阻壓降較小時(shí),由于準(zhǔn)恒定VCE電壓,該技術(shù)使米勒效應(yīng)最小化:光耦合器極被推到更高的頻率,避免閉環(huán)時(shí)發(fā)生問(wèn)題。動(dòng)態(tài)電阻rd =400Ω,但對(duì)頻率分析不產(chǎn)生影響。如果將電容反饋引腳接地,則會(huì)產(chǎn)生影響。但是,除此配置之外,阻抗需為ac,因?yàn)閱为?dú)的光耦合器可以調(diào)節(jié)輸入電流。此電流被10除(單位記為div),并通過(guò)拉高阻抗,調(diào)節(jié)內(nèi)部操作點(diǎn)。
 
在倒相引腳上,定時(shí)電容Cramp由取決于輸入電壓的電流充電。因此,模擬鋸齒波的斜率將與輸入電壓有關(guān),隨著Vin變化而動(dòng)態(tài)地改變?cè)鲆妗4伺渲脤?shí)現(xiàn)我們所謂的前饋操作。可能顯示參考文獻(xiàn)[6]該調(diào)制單元的小信號(hào)增益等于:


                                                                                                                  
            及
                                                                                                             
 

圖5:光耦合器在反饋引腳中注入電流以調(diào)整控制器占空比
 
在公式(1)中,您可看到在方程的右邊出現(xiàn)了Vin,表示傳輸函數(shù)的直流增益(s=0)將隨輸入電壓的變化而變化。因此,交越頻率和穩(wěn)定性也許都會(huì)受到影響。通過(guò)PWM傳遞函數(shù)(公式(4)),分母中的Vin抵消了輸入電壓的影響,在輸入范圍內(nèi)穩(wěn)定了環(huán)路增益和交越頻率。
 
 5.Type 3補(bǔ)償器
為設(shè)計(jì)ACF轉(zhuǎn)換器的環(huán)路增益,我們需要將PWM模式激勵(lì)因子D(s)與觀察到的變量Vout(s)響應(yīng)聯(lián)系起來(lái)的傳遞函數(shù)。我們將通過(guò)極點(diǎn)-零點(diǎn)位置應(yīng)用選定的設(shè)計(jì)策略,以確保轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)固性和良好的瞬態(tài)響應(yīng)。
 
圖6表示含一個(gè)Type3補(bǔ)償器的典型架構(gòu),Type3補(bǔ)償器采用光耦合器隔離。該光耦合器本身受電流傳輸比(CTR)和極點(diǎn)的影響,極點(diǎn)的位置取決于負(fù)載電阻。在本應(yīng)用中,分流調(diào)節(jié)反饋輸入讀取光耦合器電流。負(fù)載電阻是rd且相當(dāng)小,這意味著我們必須描述一個(gè)相當(dāng)高頻率的光耦合器極點(diǎn),以便之后中和它參考文獻(xiàn)[7]。這里注意,LED連接到二次側(cè)的一個(gè)安靜的Vcc點(diǎn)(或輔助電壓Vaux),與Vout完全交流耦合。需要注意這一點(diǎn),否則會(huì)產(chǎn)生快速的通道,使補(bǔ)償器參考文獻(xiàn)[7]的頻率響應(yīng)失真。LED中的交流電流(忽略其動(dòng)態(tài)電阻)由下式給出:


                                                                                                             
 
其中Vop是運(yùn)算放大器的交流輸出電壓。假設(shè)這是一個(gè)完美的運(yùn)算放大器,電壓則被定義為:
                                                         
                                             
 Zf 和 Zi 是圖6中所圈部分的阻抗。從這兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)中,我們可用快速分析電路技術(shù)參考文獻(xiàn)[8]來(lái)推斷我們想要的傳遞函數(shù)零點(diǎn)的位置。在Vout有激勵(lì)的情況下,需要怎樣的Zf 和 Zi 阻抗組合,才能使輸出VFB為零?



圖6:使用電壓模式有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器閉環(huán)需要Type 3補(bǔ)償器。
在本例中,Rpullup為50kΩ,RLED隨意固定為1kΩ,而R1為1662Ω。
有兩個(gè)條件:

  1. 當(dāng)Vout在sz處調(diào)諧時(shí),Zi 幅值無(wú)窮大,則VFB(sz) = 0 V。 Zi 由分子和分母D(s)組成。當(dāng)D(sz) = 0時(shí),這個(gè)阻抗無(wú)窮大。因此,這個(gè)一階網(wǎng)絡(luò)的極點(diǎn)是我們想要的零點(diǎn)。影響Zi的時(shí)間常數(shù)是通過(guò)暫時(shí)斷開(kāi)C3和“觀察”通過(guò)其連接端子提供的電阻來(lái)獲得的。在我們的思維中,時(shí)間常數(shù)是 ,網(wǎng)絡(luò)極點(diǎn)或傳遞函數(shù)零點(diǎn)就僅是 。
  2. 當(dāng)R2和C1串聯(lián)構(gòu)成變換短路時(shí),輸出也為零。這個(gè)阻抗被定義為 。您可以通過(guò) 得到零點(diǎn),從而定義了第二個(gè)零點(diǎn)位置在 。接下來(lái),我們可根據(jù)公式更新公式(7)。
                                                                           
                  這時(shí)考慮R3 << R1 以及 C2 << C1。
                 將公式代入公式中得出LED電流:
                                                                       
                 輸出電壓VFB是光耦發(fā)射極電流除以電流鏡像分頻比div。
                                                                                                    
                 發(fā)射極電流是受CTR影響的LED電流:
                                                                                                      
                 將所有這些表達(dá)式與公式(9)結(jié)合,我們得到所需的完整傳遞函數(shù):
                                                                  
                它可用以下低熵格式表示,在分子中有反零點(diǎn):
                                                                                     
                其中:
                                                                                                           
 
                             現(xiàn)在我們已有補(bǔ)償器傳遞函數(shù),我們需要一種方法來(lái)調(diào)整交越點(diǎn)上的期望增益或衰減。可以通過(guò)選擇正確的R2值,同時(shí)需要考慮由設(shè)計(jì)固定的或制造商強(qiáng)加的其他器件值(例如,電路中的Rpullup)。公式(12)的幅值由下式確定:


                                                                  
您可從中提取R2的正確值,已知 表示所選交越頻率fc處的所需增益或衰減:
                                                                     
一旦R2的值已知,就可以使用公式(15)至公式(18)對(duì)其余的補(bǔ)償元素進(jìn)行計(jì)算。
 
 
6.補(bǔ)償策略
在手上有完整的Type3傳遞函數(shù)的情況下,我們可根據(jù)我們想要穩(wěn)定的轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)響應(yīng)來(lái)想出一種補(bǔ)償策略。我們有幾種選擇來(lái)獲得這一響應(yīng)。我們可以用Mathcad®和我們給出的解析表達(dá)式(1)來(lái)計(jì)算它,也可在工作臺(tái)上計(jì)算它。對(duì)于后一個(gè)選擇,我們需要一個(gè)可以工作的硬件。另一個(gè)可行的選擇是圖7所示的SIMPLIS®仿真電路。



圖7:該簡(jiǎn)單的閉環(huán)ACF模板使用演示版本元素
 
SIMPLIS®是個(gè)分段線性(PWM)仿真器,它可支持您從開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器中提取小信號(hào)響應(yīng)。考慮到簡(jiǎn)單的模擬電路,控制-輸出響應(yīng)或 可在幾秒鐘內(nèi)從演示版本元素(https://www.simplistechnologies.com/)獲得。圖8給出了相位圖和幅值圖。該響應(yīng)對(duì)應(yīng)于從36-72-V輸入線輸出3.3V/30A的轉(zhuǎn)換器的響應(yīng)。主控制器是安森美半導(dǎo)體的NCP1566,以500kHz的開(kāi)關(guān)頻率工作。變壓器匝比為6:1,二次側(cè)電感為0.5µH。有源鉗位諧振網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的毛刺得到了很好的控制,可安全地進(jìn)行交越。本例中我們將選擇一個(gè)30千赫的交越頻率fc。
 
從這些圖中可提取出如下信息:30kHz的幅值衰減約為11.8dB,而該頻率的相位滯后達(dá)到133°。有了這些數(shù)據(jù),補(bǔ)償策略如下:

  1. 將雙零點(diǎn)置于略低于以8.7千赫計(jì)算的輸出濾波器諧振。通常情況下,如果轉(zhuǎn)換器在DCM下轉(zhuǎn)換,您可把一個(gè)零點(diǎn)置于諧振處,另一個(gè)置于更低頻率處。這確保了在輕負(fù)載條件下好的相位裕度。在本例中,自驅(qū)動(dòng)同步整流器將確保即使在空載時(shí)以CCM運(yùn)行。


圖8:開(kāi)關(guān)波形確定了工作點(diǎn),而小信號(hào)響應(yīng)給出了穩(wěn)定過(guò)程所需的信息
 
       2.  將極點(diǎn) 置于開(kāi)關(guān)頻率的一半或250kHz。
       3. 考慮60°的相位裕度目標(biāo)參考文獻(xiàn)[6],評(píng)估必要的相位升壓。
                                                           
           該值確認(rèn)需要Type3補(bǔ)償器,因?yàn)?0°是Type2的最大限值。
        4. 補(bǔ)償器將級(jí)聯(lián)兩個(gè)零點(diǎn)和兩個(gè)極點(diǎn)。如果忽略原點(diǎn)貢獻(xiàn)的極點(diǎn),這些極點(diǎn)/零點(diǎn)對(duì)產(chǎn)生的相位升壓是:


                                                   
雙零點(diǎn)和第二極點(diǎn)fp2已確定。確定fp1位置的感興趣的角度是:
                                               
 因此,我們需要定位第二極點(diǎn),使相位升壓等于105°:
                                                                                                    
      
 5. 通過(guò)Mathcad®表單參考文獻(xiàn)[2]計(jì)算的歸一化器件值得到如下結(jié)果:R2為390 ? (CTR = 1),C1 = 100 nF,C2 =22 nF,R3 = 27 ?,C3 = 22 nF。
 
在30千赫左右處交越說(shuō)明是快速運(yùn)算放大器,其自身的響應(yīng)將不會(huì)影響您想構(gòu)建的Type3的波形。參考文獻(xiàn)[9]解釋了選擇不當(dāng)?shù)倪\(yùn)算放大器如何影響最終補(bǔ)償器的性能,嚴(yán)重降低相位裕度。在本例中,我們選擇了一個(gè)TLV271,最初的Type3相位和幅值響應(yīng)沒(méi)有受此電路的影響。另外,還要注意光耦合器對(duì)補(bǔ)償器響應(yīng)的影響。PS2801是經(jīng)典的dc-dc轉(zhuǎn)換器。如前所述,基于并聯(lián)的反饋路徑施加合理的集電極電流和調(diào)節(jié)發(fā)射極電壓,仿照類(lèi)似于級(jí)聯(lián)的架構(gòu):考慮到接近恒定的Vce電壓,米勒效應(yīng)大大降低,自然地將光耦極點(diǎn)轉(zhuǎn)到更高的頻率。然而在30千赫處的交越頻率,它仍可獲得預(yù)期的相位裕度,我們已通過(guò)把一個(gè)簡(jiǎn)單的電容器與RLED并聯(lián)去補(bǔ)償它,如圖6所示。
我們現(xiàn)在可繪制環(huán)路增益T(s),并核對(duì)裕度。圖9顯示了用Mathcad®繪制的環(huán)路增益。驗(yàn)證了理論上的30 kHz交越頻率,以及期望的60°相位裕度。
 

圖9:環(huán)路增益驗(yàn)證所選的交越頻率及正確的相位裕度
 

 
7.最終電路
圖10顯示了一次側(cè)原理圖,二次側(cè)原理圖如圖11所示。NCP1566集成所有必要的特性,以構(gòu)建強(qiáng)固和高能效的有源鉗位轉(zhuǎn)換器。



圖10:一次側(cè)使用了專(zhuān)為有源鉗位轉(zhuǎn)換器NCP1566設(shè)計(jì)的控制器
 
 該器件集成各種保護(hù)和自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間,提高電路輕載能效。板載高壓電流源確保啟動(dòng)序列并動(dòng)態(tài)自供電(DSS):如果輔助繞組需要時(shí)間供應(yīng)控制器,則DSS向IC提供能量,直到輔助電壓累積并關(guān)斷電流源。當(dāng)在輕載或空載條件下跳過(guò)周期時(shí),考慮到非常窄的脈沖,輔助繞組可能會(huì)損壞。DSS將在該模式下自動(dòng)激活,為控制器自供電。


圖11:二次側(cè)應(yīng)用兩個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)電壓基準(zhǔn)
 
電源級(jí)使用Payton的平面變壓器,通過(guò)一對(duì)自驅(qū)動(dòng)同步整流器輸入輸出電感。由于一次側(cè)延長(zhǎng)的退磁周期,有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器能夠很好地直接驅(qū)動(dòng)這些晶體管:二次側(cè)的驅(qū)動(dòng)電壓在關(guān)斷期間100%存在,并確保這些電壓控制整流器的平穩(wěn)運(yùn)行。這不是經(jīng)典的正激,經(jīng)典的正激是當(dāng)主電感退磁時(shí),NVin電壓從二次側(cè)消失。
 
 環(huán)路圍繞兩個(gè)運(yùn)算放大器構(gòu)建。第一個(gè)U4用于Type3補(bǔ)償器,而U5驅(qū)動(dòng)LED,很好地抑制了與Vout的電流相互作用(沒(méi)有快速通道問(wèn)題)。請(qǐng)注意,補(bǔ)償值與計(jì)算出的值稍有不同,這是與這些dc-dc模塊相關(guān)的困難之處。我們的計(jì)算僅處理小信號(hào)響應(yīng),并且當(dāng)分量值被插入轉(zhuǎn)換器中,環(huán)路如預(yù)期般穩(wěn)定。然而,采用這些轉(zhuǎn)換器還有問(wèn)題,即Vout在通電時(shí)如何升高。上升必須是單調(diào)的,沒(méi)有雙斜率。這是個(gè)大信號(hào)運(yùn)行,直到Vout穩(wěn)定到其調(diào)節(jié)值為止。在此期間,很難預(yù)測(cè)各個(gè)電容器如何充電以及它們?nèi)绾斡绊戄敵鲭妷荷摺J┘訂握{(diào)啟動(dòng)的一種方式是經(jīng)由R14和C6軟啟動(dòng)二次側(cè)參考電壓U3。一旦轉(zhuǎn)換器啟動(dòng),C37兩端的輔助電壓迅速上升(C37需是小電容),并且通過(guò)C6上的低電壓,它施加運(yùn)算放大器U4以率先迫使Vout跟隨C6的指數(shù)充電。在這種情況下,一次側(cè)軟啟動(dòng)持續(xù)時(shí)間被減少,以限制半導(dǎo)體上的應(yīng)力,但必須限于這種作用,否則這兩個(gè)軟啟動(dòng)過(guò)程(一次側(cè)和二次側(cè))可以對(duì)抗和扭曲輸出電壓上升。一些調(diào)整是必要的。
 
8.回路測(cè)量
圖11中的電路顯示了10-?電阻(R2)與電壓檢測(cè)分壓器的上電阻串聯(lián)。這種電阻在正常工作中保持回路關(guān)閉,不影響調(diào)節(jié),因?yàn)樗闹岛艿汀Mㄟ^(guò)將變壓器連接到此電阻上,如圖12所示,可以獲得轉(zhuǎn)換器的開(kāi)環(huán)傳遞函數(shù),而無(wú)需物理開(kāi)環(huán)。這種技術(shù)是Middlebrook博士于70年代開(kāi)創(chuàng)的,在參考文獻(xiàn)[10]中有詳細(xì)的描述。



圖12:10?電阻讓您掃描轉(zhuǎn)換器并獲得傳遞函數(shù)選擇
 
我建議在原型階段加入此電阻,用兩條簡(jiǎn)單的線來(lái)連接探頭。當(dāng)您處理布滿小器件的多層印刷電路板時(shí),此時(shí)板已裝配回,您已無(wú)法再做更多改動(dòng)。切割電線以插入小電阻并隨后將探頭連接到其上是復(fù)雜和危險(xiǎn)的。在布板階段可以更容易和更輕松地附加這些額外的焊盤(pán)。
       
測(cè)量回路,我測(cè)試過(guò)新西蘭CleverScope(https://cleverscope.com/)制造的CS328A儀器。該設(shè)備含2通道14位示波器和頻率響應(yīng)分析儀(FRA),且在非常有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)位。不需要插入隔離變壓器,因?yàn)镃S328A是一個(gè)固態(tài)注入器,您只需將探頭連接到電源。儀器首先進(jìn)行粗略掃描,并微調(diào)注入電平,以保持適當(dāng)?shù)男盘?hào)/噪聲比,而不影響線性。當(dāng)儀器持久顯示觀察到的波形時(shí),可以立即檢查掃描期間是否發(fā)生飽和。且具備一個(gè)很不錯(cuò)的特性,避免連接另一示波器以監(jiān)測(cè)與FRA并行的工作。掃描結(jié)果如圖13所示,顯示了正確的交越頻率及略微的相位失真。進(jìn)一步的分析表明,前端EMI濾波器在該點(diǎn)附近有諧振,并且需要足夠的阻尼。一旦完成,毛刺如預(yù)期消失。



圖13:測(cè)量驗(yàn)證了30 kHz交越及足夠的相位裕度,并顯示了前端EMI濾波器引起的毛刺。
 
 
9.總結(jié)
本文介紹了一種用于電壓模式控制的有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器的補(bǔ)償策略。將仿真和數(shù)學(xué)求解器等工具結(jié)合,是實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)和理解每個(gè)元素作用的最佳方法。而補(bǔ)償策略則可被視為對(duì)器件的可變性補(bǔ)償,之后通過(guò)工作臺(tái)測(cè)量來(lái)驗(yàn)證。一旦該模型被認(rèn)為與在硬件中表現(xiàn)一致,則必須在仿真環(huán)境中清除這些影響因素,以確保它們被所采用的補(bǔ)償方案完全中和。
 
 

 
參考文獻(xiàn)
 

  1. C. Basso, The Small-Signal Model Of An Active-Clamp Forward Converter (Parts 1 to 3), www.How2Power.com, March 2014
  2. ON Semiconductor NCP1566 page, http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NCP1566
  3. G. Stojcic, F. Lee and S. Hiti, Small-Signal Characterization of Active-Clamp PWM Converters, VPEC 1995, pp. 237-245
  4. D. Dalal, L. Woofford, Novel Control IC for Single-Ended Active-Clamp Converters, HFPFC’95 Conf. Proc., pp. 136-146, 1995
  5. Q. Li, F. Lee, M. Jovanovi?, Design Considerations of Transformer Dc Bias of Forward Converter with Active-Clamp Reset, Applied Power Electronics Conference Conf. Proc., pp. 553-559, March 14-18, 1998
  6. C. Basso, Switch-Mode Power Supplies: SPICE Simulations and Practical Designs, McGraw-Hill, New-York 2014
  7. C. Basso, Practical Implementation of Loop Control in Power Converter, Professional Seminar, Applied Power Electronics Conference, Charlotte (NC), 2015
  8. C. Basso, Linear Circuit Transfer Function: A Tutorial Introduction to Fast Analytical Techniques, Wiley IEEE Press, May 2016
  9. C. Basso, Understanding Op Amp Dynamic Response In A Type 2 Compensator, www.how2power.com, January and February 2017 newsletters.
  10. C. Basso, Designing Control Loops for Linear and Switching Power Supplies: a Tutorial Guide, Artech House, 2012

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