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東芝推出采用TOLL封裝的650V超級結功率MOSFET，有助于提高大電流設備的效率

2021-03-11 15:59:50 東芝電子

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2021年3月11日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日開始批量出貨。

TOLL是一種表面貼裝型封裝，所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬于4引腳型封裝，能夠對柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接，從而減小封裝中源極線的電感，進而發揮MOSFET實現高速開關性能，抑制開關時產生的振蕩。與東芝現有產品TK090N65Z[1]相比，其導通開關損耗降低了約68%，關斷切換損耗降低了約56%[2][3]。新型MOSFET適用于數據中心和光伏功率調節器等工業設備的電源。

TOLL封裝與最新[4]DTMOSVI工藝技術相結合擴展了產品陣容，覆蓋了低至65mΩ（最大值）的低導通電阻[5]。東芝將繼續采用TOLL封裝工藝對產品進行改進，以減小設備尺寸并提高效率。

應用

數據中心（服務器電源等）
光伏發電機的功率調節器
不間斷電源系統

特性

薄而小的表面貼裝封裝
采用4引腳封裝，可以減少導通和關斷的開關損耗。
最新[4]的DTMOSVI系列

主要規格

（Ta＝25℃）

器件型號
TK065U65Z	TK090U65Z	TK110U65Z	TK155U65Z	TK190U65Z
封裝
封裝		名稱	TOLL
尺寸典型值（mm）		9.9×11.68，厚度＝2.3
絕對最大額定值	漏源電壓 VDSS（V）	650
絕對最大額定值	漏極電流（DC） ID（A）	38	30	24	18	15
漏源導通電阻 RDS(ON)最大值（Ω） @VGS＝10V		0.065	0.09	0.11	0.155	0.19
柵極電荷總量 Qg典型值（nC）		62	47	40	29	25
柵漏電荷 Qgd典型值（nC）		17	12	11	8	7.1
輸入電容 Ciss典型值（pF）		3650	2780	2250	1635	1370
結殼熱阻 Rth(ch-c)最大值（℃/W）		0.462	0.543	0.657	0.833	0.961
常規系列（DTMOSIV）器件型號		-	-	-	TK20G60W[6]	TK16G60W[6]
庫存查詢與購買

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注：
[1] 具有等效電壓和導通電阻的DTMOSVI系列產品均采用無開爾文連接的TO-247封裝工藝
[2] 截至2021年3月10日，東芝測得的數值（測試條件：VDD＝400V，VGG＝+10V／0V，ID＝15A，Rg＝10Ω，Ta＝25℃）。
[3] 僅限TK090U65Z
[4] 截至2021年3月10日
[5] 僅限TK065U65Z
[6] VDSS＝600V，D2PAK封裝

關鍵詞：東芝 TOLL封裝 MOSFET