賓夕法尼亞、MALVERN — 2020年12月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導通電阻比其前代器件低29 %，為通信、工業、計算和企業級電源應用提供高效解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中600 V MOSFET的重要優值系數（FOM）創業界新低。
Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。隨著SiHH070N60EF的推出，以及即將發布的第四代600 V EF系列產品，Vishay可滿足電源系統架構設計前兩個階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無橋功率因數校正（PFC）和軟切換DC/DC轉換器拓撲結構。
VISHAY簡介
Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商之一，這些產品對于汽車、工業、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫療市場的創新設計至關重要。服務于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。
