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東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET

2020-10-20 09:29:36 東芝

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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。該產品面向工業應用（包括大容量電源），并于今日開始出貨。

該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。

新產品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設計生產[1]，實現了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關斷開關損耗降低80%左右，開關時間（下降時間）縮短大約70%，并且能夠在不超過20A[2]的漏極電流下提供低導通電壓。

它的柵閾值電壓被設置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內，有助于減少故障風險（意外開啟或關閉）。此外，內置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）也有助于降低功率損耗。

在大容量AC-DC轉換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中，這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達到提高效率的目的，而且也將為縮小設備尺寸做出貢獻。

應用：
?大容量AC-DC轉換器
?光伏逆變器
?大容量雙向DC-DC轉換器

特性：
?第2代芯片設計（內置碳化硅SBD）
?高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓：
VDSS＝1200V，Ciss＝1680pF（典型值），Qg＝67nC（典型值），
RDS（ON）＝70mΩ（典型值），VDSF＝-1.35V（典型值），Vth＝4.2～5.8V
?增強類型易于操作

主要規格：
（除非另有說明，@Ta＝25℃）

器件型號		intelligent-power-ics/detail.TW070J120B.html">TW070J120B
封裝		TO-3P(N)
絕對最大額定值	漏-源電壓VDSS（V）	1200
絕對最大額定值	漏極電流（DC）ID @TC＝25℃（A）	36.0
電氣特性	漏-源導通電阻RDS（ON）典型值 @VGS＝20V（mΩ）	70
	柵閾值電壓Vth @VDS＝10V，ID＝20mA（V）	4.2至5.8
	總柵電荷Qg典型值（nC）	67
	輸入電容Ciss典型值（pF）	1680
	二極管正向電壓VDSF典型值 @IDR＝10A，VGS＝-5V（V）	-1.35
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