Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
2020-06-08 16:57:16
安世半導(dǎo)體
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新一代氮化鎵技術(shù)針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用；新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
奈梅亨，2020 年 6 月 8 日：半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計大為簡化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。
新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件，導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到僅 41mΩ（最大值，25℃的典型值為 35mΩ），同時具有高的柵級閥值電壓和低反向?qū)妷骸CPAK封裝的新器件，將導(dǎo)通電阻值進(jìn)一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值為 33mΩ）。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，可滿足汽車應(yīng)用的要求。
Nexperia氮化鎵戰(zhàn)略營銷總監(jiān) Dilder Chowdhury表示：“客戶需要導(dǎo)通電阻RDS(on)為30~40m?的650V新器件，以便實現(xiàn)經(jīng)濟(jì)高效的高功率轉(zhuǎn)換。相關(guān)的應(yīng)用包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機(jī)牽引逆變器; 以及1.5~5kW鈦金級的工業(yè)電源，比如:機(jī)架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。Nexperia持續(xù)投資氮化鎵開發(fā)，并采用新技術(shù)擴(kuò)充產(chǎn)品組合。首先為功率模塊制造商提供了傳統(tǒng)的 TO-247封裝器件和裸芯片，并隨后提供我們高性能的CCPAK 貼片封裝的器件。”
Nexperia 的 CCPAK貼片封裝采用了創(chuàng)新的銅夾片封裝技術(shù)來代替內(nèi)部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進(jìn)一步改善散熱。
650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。有關(guān)更多信息，包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)表，請訪問：www.nexperia.com/gan-fets。
關(guān)于Nexperia
Nexperia，作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。
憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認(rèn)證。
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