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華邦OctalNAND Flash與新思科技DesignWare AMBA IP完美契合，提供完整的高容量 NAND 閃存解決方案

2021-07-22 15:51:38 華邦電子

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2021年7月21日中國(guó)，蘇州訊——全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布，華邦OctalNAND Flash可透過(guò)與新思科技用于AMBA DesignWare Synchronous Serial Interface (SSI) IP的整合，獲得完整的支持。DesignWare SSI IP可優(yōu)化閃存性能，助力串行式閃存與華邦OctalNAND Flash實(shí)現(xiàn)高傳輸速率并降低延遲。華邦與新思科技此次攜手，將加速其容量高達(dá)4Gb、具備高速讀取功能的OctalNAND Flash的采用，為汽車(chē)、移動(dòng)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)裝置等應(yīng)用領(lǐng)域提供完整的閃存解決方案。
作為全球首款8 I/O串列式NAND Flash，華邦OctalNAND Flash可為汽車(chē)、通信和工業(yè)系統(tǒng)制造商提供現(xiàn)今最高容量的嵌入式代碼存儲(chǔ)產(chǎn)品，同時(shí)其性能與NOR Flash解決方案相同，但更具成本優(yōu)勢(shì)。

目前NOR Flash技術(shù)已經(jīng)發(fā)展至極限，導(dǎo)致其高容量產(chǎn)品的價(jià)格居高不下。閃存供應(yīng)商們難以在保證采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的同時(shí)，進(jìn)一步優(yōu)化以獲得更佳的性能與成本效益。于是，為了解決現(xiàn)存的問(wèn)題，華邦開(kāi)發(fā)了OctalNAND Flash解決方案。過(guò)去，在先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、汽車(chē)儀表盤(pán)和工廠自動(dòng)化控制器等應(yīng)用中，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員大多都使用 NOR Flash技術(shù)。但由于這些系統(tǒng)的代碼大小逐漸超過(guò) 512Mb，使用NOR Flash的成本將遠(yuǎn)高于同等容量的 NAND Flash。

新思科技IP營(yíng)銷(xiāo)和戰(zhàn)略高級(jí)副總裁John Koeter 表示：“新思科技的DesignWare SSI IP助力華邦OctalNAND Flash，在提供高速內(nèi)存讀取的同時(shí)，也能簡(jiǎn)化移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)片上系統(tǒng)采用OctalNAND Flash的流程。借助 DesignWare SSI IP和OctalNAND Flash的組合，高成本效益、高速、高閃存容量等特點(diǎn)將幫助SoC設(shè)計(jì)師縮短芯片的上市時(shí)間。”

華邦閃存技術(shù)總監(jiān)J.W.Park表示：“華邦與新思科技此次合作， DesignWare SSI IP提供對(duì)OctalNAND Flash的支持，使華邦客戶能夠更輕松地使用OctalNAND Flash提供的先進(jìn)功能。通過(guò)使用結(jié)合了OctalNAND Flash與DesignWare SSI IP的芯片組，系統(tǒng)制造商可根據(jù)對(duì)性能、容量、價(jià)格的不同要求選擇最合適的閃存產(chǎn)品，包括Serial NOR Flash、QspiNAND Flash或OctalNAND Flash。”

OctalNAND Flash產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

大多數(shù)高容量嵌入式應(yīng)用中，一般都會(huì)將大量系統(tǒng)代碼映射到 DRAM 中執(zhí)行，而OctalNAND Flash的讀取傳輸速率可達(dá)每秒240MB，并且具備連續(xù)讀取的能力，能夠大幅度節(jié)省傳輸時(shí)間。雖然NAND Flash無(wú)法避免內(nèi)存壞塊的出現(xiàn)，但華邦的OctalNAND Flash具備壞塊置換功能，可以將壞塊映射并做好塊替換，從而使主芯片能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)倪B續(xù)性，并簡(jiǎn)化高速代碼映射的流程，無(wú)需主芯片進(jìn)行跳過(guò)壞塊的處理方式。

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隨著 OTA更新成為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的標(biāo)準(zhǔn)功能，其所需內(nèi)存容量通常也會(huì)翻倍。如今，1Gb與2Gb的內(nèi)存用于代碼存儲(chǔ)相當(dāng)常見(jiàn)，甚至4Gb 也被頻繁采用。OTA普及后，閃存的擦除和寫(xiě)入速度變得尤為重要。與 NOR Flash 相比，OctalNAND Flash的擦除速度最高可比其快400 倍，寫(xiě)入速度最高可快50 倍。當(dāng)閃存中的大部分內(nèi)容都需要OTA更新時(shí)，從NOR Flash轉(zhuǎn)換至OctalNAND Flash，意味著其擦除/寫(xiě)入時(shí)間將從近 10 分鐘縮短至不足 1 分鐘，從而大大提高系統(tǒng)可用性和用戶體驗(yàn)。

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