ARM總裁：英特爾移動IC工藝技術不占優勢
2012-10-25 20:00:35 本站原創近日，ARM總裁Warren East表示，“英特爾公司在移動IC的生產工藝上不占優勢。”
“去年這個時候英特爾陣營為他們的制造優勢做出很多噱頭，”East說，“我們一直對此表示懷疑，因為ARM企業系統正研發28nm制程，而英特爾才進行32nm制程的開發,我沒看到他們哪里更領先。”
此外，隨著Foundries開發周期的縮短，開發速度的加快，英特爾將會發現移動工藝技術的發展將會超出他們的預料。
“我們支持所有的獨立研發，”East說道，“包括TSMC20nm planarbulk CMOS和16nm Fin FET，三星20nm planarbulk CMOS、14nm Fin FET和20nm planarbulk CMOS,以及Global Foundries 20nm FD-SOI和14nm Fin FET。”
它使得ARM生態系統有一個龐大的工藝群可以選擇。“我沒有更好的方法判斷哪個工藝比其他工藝更成功，”East說，“我們的方法與工藝無關。”
重要的是，Foundries的工藝與英特爾的方向在14nm制程相交軌。
14nm將是英特爾在更小節點的移動SOC的首要目標，他們或許會將之放到某個首次發布的新工藝IC中。
當問及Foundries是否準備推出下一代更小節點移動SOC，East回復說，”這也是我們想要從Foundries那知道的信息。“
Global Foundries打算在2014年批量制造14nm Fin FET，與英特爾開始生產14nm Fin FET的計劃處于同一時間。
事實上，GF的14nm工藝可能比英特爾的更小，Global Foundries的高級副總裁Mojy Chian說：“因為英特爾的術語庫與開發界使用的術語庫不匹配。比如，在back-endmetal lisation方面英特爾的22nm制程與開發界的28nm制程，英特爾22nm制程的設計規則和間距與代工廠的28nm制程的差異。
意法半導體公司的技術總監Jean-Marc Chery指出，英特爾22nm制程的柵極長度實際是26nm。
此外，英特爾三角形散熱片不具Fin FET工藝優勢，落后于能優化FinFET晶體管的GF矩形散熱片。
Chian說，移動SOC將放于在GF14NM Fin FET節點的前面。自2009年以來GF一直與ARM合作優化其基于ARM的SOC工藝。
TSMC預計于明年底推出第一個16nm Fin FET工藝。該測試芯片將使用ARM64位V8處理器。
使用ARM處理器驗證其16nm Fin FET工藝將給予TSMC基于ARM的SOC客戶群極大信心。
當問及FinFET如何影響基于ARM的SOC時，East回答：“答案非常簡單。問題是它是否在可接受成本范圍內產生收益?你不能勞而不獲。它的制造成本是多少?有多大產出呢?顯而易見，這些都影響成本。”
當問及ARM推進服務器市場的進展狀況時，East回復：“目前為止，進展良好。你現在可以購買使用了Calxeda芯片(基于ARM內核)的波士頓貽貝服務器。我們對這款產品非常看好。在計算機性能的穩定水平上，節能和節省空間的數據出人意料。”
“目前，服務器基于專為智能手機設計的Cortex A9構架，”East補充道：“將應用A15的服務器會更勝一籌，我們為所發生的一切感到非常高興。”
當問及上周五的大事件(即使用ARM構架處理器的Windows 8將ARM版Windows筆記本電腦和平板電腦推出入店)時，East回答說：“這不會引起任何大的驚喜--它只是出現了而已。”
在第三季度閃亮出場獲得營收增長18%和盈利增長22%的成就后，ARM期望看到第四季度也有驕人市場業績。
