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臺積電3納米“拉跨”,蘋果A17性能被高估!

2023-03-23 12:22:55 EETOP
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據(jù)外媒 NotebookCheck 報道,過去幾周,互聯(lián)網(wǎng)上一直流傳著明年的旗艦移動 AP(Apple A17 Bionic和 Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3)的暫定性能數(shù)據(jù)。不出所料,前者將擊敗后者,除了蘋果出色的設(shè)計能力外,主要是因為它采用臺積電尖端 3 納米工藝制造。相比之下,據(jù)傳后者繼續(xù)使用 5 納米衍生產(chǎn)品 (N4P)。然而,泄露 A17 Bionic Geekbench 分數(shù)的@tech_reve 現(xiàn)在修改了他們最初的說法。

圖片

A17 Bionic 最終性能或許沒有傳聞厲害,性能提升幅度不會超過 20%。

這與臺積電N3B制程不能按計劃進行有關(guān),由于FinFET的問題,良率沒有那么好,使蘋果降低性能目標。有消息稱,F(xiàn)inFET不太適應(yīng)4納米以下晶體管架構(gòu),可能是使臺積電改變的關(guān)鍵。照臺積電規(guī)劃,要到下一代2納米制程才會改成Gate-all-around FETs(GAAFET)架構(gòu)。

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雖然受制程影響,不過以蘋果芯片設(shè)計功力,相信A17 Bionic表現(xiàn)還是讓人滿意。有消息指高通Snapdragon 8 Gen 3處理器性能提升幅度不小,甚至可能超出不少人預(yù)期,或許也有給蘋果壓力。


關(guān)鍵詞: 臺積電 3納米 蘋果A17

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