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格芯推出12納米 ARM 架構 3D 芯片，成熟度優(yōu)于臺積電7納米

2019-08-12 09:00:11 EETOP

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晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）8 日宣布，開發(fā)出基于ARM 架構的3D 高密度測試芯片，將實現更高水準的性能和功效。由于當前芯片封裝一直是芯片制造中的一個關鍵點，使得在傳統(tǒng)的2D 封裝技術已經發(fā)展到瓶頸之后，半導體制造商們把目光轉向3D 堆疊技術上。除了看到大量的3D NAND Flash 的應用，英特爾和AMD 也都有提出關于3D 芯片的研究報告。如今，ARM 和格芯也加入這領域。

格芯指出，新開發(fā)出基于ARM 架構的3D 高密度測試芯片，是采用格芯的12 納米FinFET 制程所制造，采用3D 的ARM 網狀互連技術，允許數據更直接的傳輸到其他內核，極大化的降低延遲性。而這樣的架構，這可以降低數據中心、邊緣運算以及高階消應用的延遲，并且提升數據的傳輸速度。

格芯強調，新開發(fā)出基于ARM 架構的3D 高密度測試芯片，可以進一步在每平方公厘上實現多達100 萬個3D 的連結，使其具有高度可擴展性，并有望延展12 納米制成的壽命。另外，3D 封裝解決方案（F2F）不僅為設計人員提供了異構邏輯和邏輯/ 存儲器整合的途徑，而且可以使用最佳生產節(jié)點制造，以達成更低的延遲、更高的頻寬，更小芯片尺寸的目標。

格芯表示，因為當前的12 納米制程成熟穩(wěn)定，因此目前在3D 空間上開發(fā)芯片更加容易，而不必擔心新一代7 納米制程所可能帶來的問題。然而，臺積電、三星和英特爾能夠在比格芯小得多的節(jié)點上開發(fā)3D 芯片，而且也已經相關的報告。而何時推出，就只是時間上的問題。屆時，格芯是否能以較低廉的價格優(yōu)勢，進一步與其他晶圓生產廠商競爭，就有待后續(xù)的觀察。

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關鍵詞：格芯 3D 芯片