西數明年底量產BiCS6閃存:162層堆棧、接口速度翻倍
BiCS6閃存是下一代產品,堆棧層數最終確定為162層,而非之前所說的170+層,核心容量也提升到了1Tbit,另外就是接口速度也將達到2.0Gbps,相比上代翻倍,不過距離三星最新的8代V-NAND閃存的2.4Gbps還有點距離。
根據西數的計劃,BiCS6閃存將從明年初開始生產,但真正大規模量產要到2022年底了,現在的BiCS5閃存還要過渡至少一年。
關鍵詞: 西數 BiCS6 閃存
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