SK海力士：全球首次成功研發128層4D Nand閃存
2019-06-27 10:19:01 鳳凰網據SK hynix透露，該產品是業界最尖端的128層堆棧4D NAND，適用超均一垂直植入技術、高信賴多層薄膜構成技術、超高速低電力線路設計等技術。同時，該產品也是用TLC存儲方式打造的NAND中，首次達到1TB容量的產品。
NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
6月26日，SK海力士宣布成功開發出“128層1Tb的TLC（Triple Level Cell）4D Nand閃存”，即將投入量產。距離該公司在去年10月開發出96層4D Nand閃存芯片過了8個月時間。據悉，最近DRAM和Nand閃存等存儲芯片的價格不斷下降，SK海力士今年第一季度已經出現虧損，現在似乎打算在Nand閃存領域尋找新的突破口。
據報道，相比傳統的3D Nand閃存工程，4D Nand閃存解決了芯片設計過程中最為困擾的面積問題，大大提高生產效率。SK海力士表示，“新產品使用同樣的4D平臺，通過對工程進行最佳優化，在比96層產品增加了32層儲存單元的情況下，還將全部的工程程序減少了5%”。
SK海力士副總經理吳鐘勛（音）表示，128層4D NAND將確保NAND項目的根本競爭力。該產品實現業界最多層堆棧、最高容量，將及時提供各種解決方案。
SK海力士計劃從今年下半年開始正式開售128層4D閃存芯片，并接連推出各種產品解決方案。SK海力士還計劃積極對云數據中心使用的企業級固態硬盤(SSD)、需要大容量存儲芯片的5G移動通信智能手機市場展開攻略。
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