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10nm DRAM芯片可以加快DDR4采用

2016-04-10 12:26:20 未知

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三星電子公司生產的面向PC和IT網絡的存儲器是業界首款10nm級8Gb DDR4 DRAM芯片。

它們能夠在IT系統中實現最高的投資效率。三星電子公司存儲器事業部總裁Young-Hyun Jun說，公司還將為移動制造商推出新一代高密度10nm級移動DRAM產品。

8Gb DDR4 DRAM將20nm 8Gb DDR4 DRAM的晶圓生產率提升了30%以上，支持3,200Mb/s數據傳輸速率，而其它20nm DDR4 DRAM的速率僅為2,400Mbps。

模塊的功耗也比采用20nm工藝的競爭產品低10~20%，從而提高了新一代高性能計算（HPC）系統和其他大型企業網絡以及用于PC和主流服務器市場的產品的設計效率。

關鍵技術發展包括改進了專有單元設計技術、QPT（四重曝光技術）光刻和超薄介電層沉積。

不同于一個單元僅包含1個晶體管的NAND閃存，每個DRAM單元都需要1個電容器和1個晶體管連接在一起，電容器通常被置于晶體管安裝區域之上。

10nm級單元結構利用專有電路設計技術和四重曝光光刻技術開發而成。通過能夠利用現有光刻設備的四重曝光，公司還為開發新一代10nm級DRAM打下了核心技術基礎。

改進的介電層沉積技術還進一步提升了10nm級DRAM的性能。