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Navitas:業界首款氮化鎵驅動與功率集成芯片(GaN Power IC)

2016-03-28 21:17:13 未知

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AllGaN^TM單片集成了650V氮化鎵開關管，驅動電路和邏輯電路，其開關速度是硅類開關管的10倍至100倍，以達到更高系統功率密度，更高效率和更低成本。

Navitas(納微達斯) 半導體近日宣布推出基于其專利的AllGaN™650V單片平臺上研發的業界首款氮化鎵（GaN）驅動與功率集成芯片。集成邏輯電路，驅動電路的氮化鎵功率芯片(GaNPower IC)能夠實現比現有的硅電路高10倍至100倍的開關頻率，使得系統體積更小，重量更輕，成本更低。新一代高頻(10x~100x)，高效率的電源變換器正在應用于智能手機和筆記本充電器，OLED電視， LED照明，太陽能逆變器，無線充電設備和數據中心電源。

“氮化鎵功率管(GaN FET)由于其固有的高開關速度和高開關效率，使其在電力電子市場取代硅類開關器件具有巨大的潛力”Navitas的首席技術官&首席運營管DanKinzer說?！霸诖酥?，氮化鎵功率管的應用潛力因缺乏高性能氮化鎵驅動電路來有效和更快速地開關氮化鎵功率管而受到限制。Navitas的功率芯片已經解決了這個技術挑戰，開啟了氮化鎵功率器件的全部潛力。有了集成氮化鎵驅動邏輯電路的氮化鎵功率器件，業界現在可以進行高性價比，簡單易用的高頻化電源系統設計?！?/span>

首席執行官Gene Sheridan 補充道“上一次電力電子行業在功率密度，效率和成本的大幅度提高是在70年代末，由金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)取代雙極性晶體管(NPN)實現從線性穩壓到開關穩壓的轉換過程中實現的，在很短的時間內功率密度提高了10倍，功率損耗降低了3倍，成本也相應降低了3倍。類似的市場顛覆即將出現，氮化鎵功率芯片的高頻化極大地提高功率密度和效率，同時大幅度減低成本，將會取代現有低頻的基于硅的電源系統。對業界而言這是一個激動人心的時刻。”

Navitas半導體在2016年3月21號的應用電力電子會議（APEC）的主題演講“氮化鎵功率芯片沖破開關速度限制”中介紹了AllGaN平臺和在它基礎上開發的氮化鎵驅動功率一體化芯片。