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Navitas:業(yè)界首款氮化鎵驅(qū)動(dòng)與功率集成芯片(GaN Power IC)

2016-03-28 21:17:13 未知

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AllGaN^TM單片集成了650V氮化鎵開(kāi)關(guān)管，驅(qū)動(dòng)電路和邏輯電路，其開(kāi)關(guān)速度是硅類(lèi)開(kāi)關(guān)管的10倍至100倍，以達(dá)到更高系統(tǒng)功率密度，更高效率和更低成本。

Navitas(納微達(dá)斯) 半導(dǎo)體近日宣布推出基于其專(zhuān)利的AllGaN™650V單片平臺(tái)上研發(fā)的業(yè)界首款氮化鎵（GaN）驅(qū)動(dòng)與功率集成芯片。集成邏輯電路，驅(qū)動(dòng)電路的氮化鎵功率芯片(GaNPower IC)能夠?qū)崿F(xiàn)比現(xiàn)有的硅電路高10倍至100倍的開(kāi)關(guān)頻率，使得系統(tǒng)體積更小，重量更輕，成本更低。新一代高頻(10x~100x)，高效率的電源變換器正在應(yīng)用于智能手機(jī)和筆記本充電器，OLED電視， LED照明，太陽(yáng)能逆變器，無(wú)線充電設(shè)備和數(shù)據(jù)中心電源。

“氮化鎵功率管(GaN FET)由于其固有的高開(kāi)關(guān)速度和高開(kāi)關(guān)效率，使其在電力電子市場(chǎng)取代硅類(lèi)開(kāi)關(guān)器件具有巨大的潛力”Navitas的首席技術(shù)官&首席運(yùn)營(yíng)管DanKinzer說(shuō)。“在此之前，氮化鎵功率管的應(yīng)用潛力因缺乏高性能氮化鎵驅(qū)動(dòng)電路來(lái)有效和更快速地開(kāi)關(guān)氮化鎵功率管而受到限制。Navitas的功率芯片已經(jīng)解決了這個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn)，開(kāi)啟了氮化鎵功率器件的全部潛力。有了集成氮化鎵驅(qū)動(dòng)邏輯電路的氮化鎵功率器件，業(yè)界現(xiàn)在可以進(jìn)行高性價(jià)比，簡(jiǎn)單易用的高頻化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。”

首席執(zhí)行官Gene Sheridan 補(bǔ)充道“上一次電力電子行業(yè)在功率密度，效率和成本的大幅度提高是在70年代末，由金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)取代雙極性晶體管(NPN)實(shí)現(xiàn)從線性穩(wěn)壓到開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓的轉(zhuǎn)換過(guò)程中實(shí)現(xiàn)的，在很短的時(shí)間內(nèi)功率密度提高了10倍，功率損耗降低了3倍，成本也相應(yīng)降低了3倍。類(lèi)似的市場(chǎng)顛覆即將出現(xiàn)，氮化鎵功率芯片的高頻化極大地提高功率密度和效率，同時(shí)大幅度減低成本，將會(huì)取代現(xiàn)有低頻的基于硅的電源系統(tǒng)。對(duì)業(yè)界而言這是一個(gè)激動(dòng)人心的時(shí)刻。”

Navitas半導(dǎo)體在2016年3月21號(hào)的應(yīng)用電力電子會(huì)議（APEC）的主題演講“氮化鎵功率芯片沖破開(kāi)關(guān)速度限制”中介紹了AllGaN平臺(tái)和在它基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的氮化鎵驅(qū)動(dòng)功率一體化芯片。